Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
FGA25S125P
ON Semiconductor

FGA25S125P

частка акцыі: 6800

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
TIG052TS-TL-E
ON Semiconductor

TIG052TS-TL-E

частка акцыі: 6724

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.5V @ 2.5V, 150A,

Ліст з жаданняў
FGB30N6S2
ON Semiconductor

FGB30N6S2

частка акцыі: 6838

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGTB20N120LWG
ON Semiconductor

NGTB20N120LWG

частка акцыі: 21982

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 192W,

Ліст з жаданняў
NGTB25N120SWG
ON Semiconductor

NGTB25N120SWG

частка акцыі: 15347

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 385W,

Ліст з жаданняў
NGB8207ANT4G
ON Semiconductor

NGB8207ANT4G

частка акцыі: 6774

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 365V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 3.7V, 10A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
TIG067SS-TL-2W
ON Semiconductor

TIG067SS-TL-2W

частка акцыі: 103797

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5V @ 4V, 150A, Магутнасць - Макс: 1.2W,

Ліст з жаданняў
FGS15N40LTF
ON Semiconductor

FGS15N40LTF

частка акцыі: 6848

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A, Магутнасць - Макс: 2W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FLWG

частка акцыі: 6907

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 223W,

Ліст з жаданняў
TIG111BF
ON Semiconductor

TIG111BF

частка акцыі: 5747

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 2W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3040P3
ON Semiconductor

ISL9V3040P3

частка акцыі: 33461

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTB45N60S1WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S1WG

частка акцыі: 31681

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
HGT1S3N60A4DS9A
ON Semiconductor

HGT1S3N60A4DS9A

частка акцыі: 6653

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 70W,

Ліст з жаданняў
FGB20N6S2D
ON Semiconductor

FGB20N6S2D

частка акцыі: 6839

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGA25N120FTD
ON Semiconductor

FGA25N120FTD

частка акцыі: 6719

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 313W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3040S3S
ON Semiconductor

ISL9V3040S3S

частка акцыі: 6867

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGP30N6S2D
ON Semiconductor

FGP30N6S2D

частка акцыі: 6865

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
TIG066SS-TL-E
ON Semiconductor

TIG066SS-TL-E

частка акцыі: 6709

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5V @ 4V, 150A,

Ліст з жаданняў
FGPF15N60UNDF
ON Semiconductor

FGPF15N60UNDF

частка акцыі: 46080

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 42W,

Ліст з жаданняў
FGP30N6S2
ON Semiconductor

FGP30N6S2

частка акцыі: 6861

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
FGD3040G2_SN00297
ON Semiconductor

FGD3040G2_SN00297

частка акцыі: 6856

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGD3040G2
ON Semiconductor

FGD3040G2

частка акцыі: 6769

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGPF30N30TDTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TDTU

частка акцыі: 6718

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 44.6W,

Ліст з жаданняў
HGTP7N60A4D
ON Semiconductor

HGTP7N60A4D

частка акцыі: 6895

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGB40N6S2
ON Semiconductor

FGB40N6S2

частка акцыі: 6854

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHLWG

частка акцыі: 6720

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
NGTG30N60FLWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FLWG

частка акцыі: 22245

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N60EG
ON Semiconductor

NGTB15N60EG

частка акцыі: 46999

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 117W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB40N60FLWG

частка акцыі: 17119

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 257W,

Ліст з жаданняў
NGTB75N65FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WAG

частка акцыі: 17241

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N60SWG
ON Semiconductor

NGTB30N60SWG

частка акцыі: 6761

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 189W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60FL2WG

частка акцыі: 15373

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65UPD
ON Semiconductor

FGH40T65UPD

частка акцыі: 15897

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
HGTG30N60A4
ON Semiconductor

HGTG30N60A4

частка акцыі: 10201

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
ISL9V5036S3ST_SB82170
ON Semiconductor

ISL9V5036S3ST_SB82170

частка акцыі: 6862

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 46A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
HGT1S7N60A4DS
ON Semiconductor

HGT1S7N60A4DS

частка акцыі: 6649

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў