Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - модулі

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - модулі
NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor

NXH80B120H2Q0SG

частка акцыі: 168

Канфігурацыя: Dual Boost Chopper, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Магутнасць - Макс: 103W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
NXH160T120L2Q2F2SG
ON Semiconductor

NXH160T120L2Q2F2SG

частка акцыі: 161

Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 181A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A,

Ліст з жаданняў
NXH80T120L2Q0S2G
ON Semiconductor

NXH80T120L2Q0S2G

частка акцыі: 68

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Level Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 57A, Магутнасць - Макс: 125W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A,

Ліст з жаданняў
FMS6G15US60S
ON Semiconductor

FMS6G15US60S

частка акцыі: 401

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 73W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N30N60A4D

частка акцыі: 431

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Магутнасць - Макс: 255W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
FMS7G15US60S
ON Semiconductor

FMS7G15US60S

частка акцыі: 322

Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 73W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
FAM65V05DF1
ON Semiconductor

FAM65V05DF1

частка акцыі: 1644

Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 333W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
FMG2G150US60
ON Semiconductor

FMG2G150US60

частка акцыі: 425

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 595W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
FMS6G20US60
ON Semiconductor

FMS6G20US60

частка акцыі: 387

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Магутнасць - Макс: 89W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
FMS7G15US60
ON Semiconductor

FMS7G15US60

частка акцыі: 406

Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 73W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
FMS6G10US60
ON Semiconductor

FMS6G10US60

частка акцыі: 444

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Магутнасць - Макс: 66W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Ліст з жаданняў
FMG2G150US60E
ON Semiconductor

FMG2G150US60E

частка акцыі: 472

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Магутнасць - Макс: 500W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A,

Ліст з жаданняў
FMG2G200US60
ON Semiconductor

FMG2G200US60

частка акцыі: 468

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 695W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

Ліст з жаданняў
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor

FMG2G300LS60E

частка акцыі: 428

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 892W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor

FPF2G120BF07AS

частка акцыі: 758

Тып IGBT: Field Stop, Канфігурацыя: 3 Independent, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FMG2G50US120
ON Semiconductor

FMG2G50US120

частка акцыі: 416

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 320W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
FMS6G15US60
ON Semiconductor

FMS6G15US60

частка акцыі: 424

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Магутнасць - Макс: 73W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Ліст з жаданняў
FP7G100US60
ON Semiconductor

FP7G100US60

частка акцыі: 522

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
FPF2C8P2NL07A
ON Semiconductor

FPF2C8P2NL07A

частка акцыі: 1001

Тып IGBT: Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Магутнасць - Макс: 135W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
FMG1G100US60H
ON Semiconductor

FMG1G100US60H

частка акцыі: 409

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
FMG2G75US120
ON Semiconductor

FMG2G75US120

частка акцыі: 327

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 445W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
FMG1G50US60L
ON Semiconductor

FMG1G50US60L

частка акцыі: 445

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N40N60A4D

частка акцыі: 449

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Магутнасць - Макс: 298W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FP7G50US60
ON Semiconductor

FP7G50US60

частка акцыі: 495

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
FPF2C110BI07AS2
ON Semiconductor

FPF2C110BI07AS2

частка акцыі: 1146

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 300W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FMS6G10US60S
ON Semiconductor

FMS6G10US60S

частка акцыі: 375

Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Магутнасць - Макс: 66W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Ліст з жаданняў
FP7G75US60
ON Semiconductor

FP7G75US60

частка акцыі: 290

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
FMG2G100US60
ON Semiconductor

FMG2G100US60

частка акцыі: 395

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў
FMS7G10US60
ON Semiconductor

FMS7G10US60

частка акцыі: 319

Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Магутнасць - Макс: 66W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Ліст з жаданняў
FMG2G75US60
ON Semiconductor

FMG2G75US60

частка акцыі: 431

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 310W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
FMS7G10US60S
ON Semiconductor

FMS7G10US60S

частка акцыі: 378

Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Магутнасць - Макс: 66W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Ліст з жаданняў
FMG2G400LS60
ON Semiconductor

FMG2G400LS60

частка акцыі: 419

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Магутнасць - Макс: 1136W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A,

Ліст з жаданняў
FMG1G50US60H
ON Semiconductor

FMG1G50US60H

частка акцыі: 407

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Ліст з жаданняў
FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor

FPF2G120BF07ASP

частка акцыі: 815

Тып IGBT: Field Stop, Канфігурацыя: 3 Independent, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Магутнасць - Макс: 156W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FMG2G300US60E
ON Semiconductor

FMG2G300US60E

частка акцыі: 435

Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300A, Магутнасць - Макс: 892W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A,

Ліст з жаданняў
FMG1G100US60L
ON Semiconductor

FMG1G100US60L

частка акцыі: 438

Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 400W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Ліст з жаданняў