Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Аптычныя датчыкі - адлюстроўваюць - аналагавы выха

  • Дом
  •  
  • Аптычныя датчыкі - адлюстроўваюць - аналагавы выха
QRE00034
ON Semiconductor

QRE00034

частка акцыі: 2759

Адчуванне адлегласці: 0.157" (4mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
OPB704W
ON Semiconductor

OPB704W

частка акцыі: 2756

Адчуванне адлегласці: 0.200" (5.08mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 40mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRE1113GR
ON Semiconductor

QRE1113GR

частка акцыі: 178615

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRD1113
ON Semiconductor

QRD1113

частка акцыі: 38545

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRC1113
ON Semiconductor

QRC1113

частка акцыі: 2734

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRB1133
ON Semiconductor

QRB1133

частка акцыі: 2798

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRB1134
ON Semiconductor

QRB1134

частка акцыі: 2734

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRE1113
ON Semiconductor

QRE1113

частка акцыі: 57727

Адчуванне адлегласці: 0.197" (5mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRD1114
ON Semiconductor

QRD1114

частка акцыі: 39835

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRD1313
ON Semiconductor

QRD1313

частка акцыі: 2740

Адчуванне адлегласці: 0.050" (1.27mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Photodarlington,

Ліст з жаданняў
QRB1113
ON Semiconductor

QRB1113

частка акцыі: 2703

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRB1114
ON Semiconductor

QRB1114

частка акцыі: 2747

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў
QRC1133
ON Semiconductor

QRC1133

частка акцыі: 2700

Адчуванне адлегласці: 0.150" (3.81mm), Метад зандзіравання: Reflective, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20mA, Ток - Уперад пастаяннага току (калі) (макс.): 50mA, Тып выхаду: Phototransistor,

Ліст з жаданняў