Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
1SS383T1G
ON Semiconductor

1SS383T1G

частка акцыі: 4428

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor

BAS21TMR6T1G

частка акцыі: 167766

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS35
ON Semiconductor

BAS35

частка акцыі: 158403

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS31-D87Z
ON Semiconductor

BAS31-D87Z

частка акцыі: 291

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW74
ON Semiconductor

BAW74

частка акцыі: 141013

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99LT3G
ON Semiconductor

BAV99LT3G

частка акцыі: 198102

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BYV32-200G
ON Semiconductor

BYV32-200G

частка акцыі: 73250

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BYW51-200G
ON Semiconductor

BYW51-200G

частка акцыі: 70504

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAT54A
ON Semiconductor

BAT54A

частка акцыі: 143453

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54ST
ON Semiconductor

BAT54ST

частка акцыі: 152911

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV74
ON Semiconductor

BAV74

частка акцыі: 134445

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54S_G
ON Semiconductor

BAT54S_G

частка акцыі: 4517

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BYV32-200
ON Semiconductor

BYV32-200

частка акцыі: 4417

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAW56_D87Z
ON Semiconductor

BAW56_D87Z

частка акцыі: 4493

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56
ON Semiconductor

BAW56

частка акцыі: 111551

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS16DXV6T1G
ON Semiconductor

BAS16DXV6T1G

частка акцыі: 108346

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70
ON Semiconductor

BAV70

частка акцыі: 160265

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54C_G
ON Semiconductor

BAT54C_G

частка акцыі: 4299

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56M3T5G
ON Semiconductor

BAW56M3T5G

частка акцыі: 199682

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99T
ON Semiconductor

BAV99T

частка акцыі: 113030

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 85V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 75mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99-D87Z
ON Semiconductor

BAV99-D87Z

частка акцыі: 4119

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54S-D87Z
ON Semiconductor

BAT54S-D87Z

частка акцыі: 4047

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS70SV
ON Semiconductor

BAS70SV

частка акцыі: 4476

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56TT1G
ON Semiconductor

BAW56TT1G

частка акцыі: 109071

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56WT1G
ON Semiconductor

BAW56WT1G

частка акцыі: 130475

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56TT1
ON Semiconductor

BAW56TT1

частка акцыі: 3879

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV74LT3G
ON Semiconductor

BAV74LT3G

частка акцыі: 3789

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54CXV3T1
ON Semiconductor

BAT54CXV3T1

частка акцыі: 3806

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54CWT1
ON Semiconductor

BAT54CWT1

частка акцыі: 4436

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54CTT1
ON Semiconductor

BAT54CTT1

частка акцыі: 3867

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54ALT3G
ON Semiconductor

BAT54ALT3G

частка акцыі: 3781

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54AWT3G
ON Semiconductor

BAT54AWT3G

частка акцыі: 3785

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54S_ND87Z
ON Semiconductor

BAT54S_ND87Z

частка акцыі: 3795

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54C_D87Z
ON Semiconductor

BAT54C_D87Z

частка акцыі: 3795

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54A_D87Z
ON Semiconductor

BAT54A_D87Z

частка акцыі: 3743

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99_L99Z
ON Semiconductor

BAV99_L99Z

частка акцыі: 3796

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў