Транзістары - FET, MOSFET - масівы

2N7002VA

частка акцыі: 174411

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

2N7002V

частка акцыі: 169832

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

2N7002DW

частка акцыі: 155725

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 115mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

NVMFD5485NLWFT1G

частка акцыі: 81328

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

EFC6604R-TR

частка акцыі: 146764

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTMFD5C446NLT1G

частка акцыі: 65

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 90µA,

NTZD3155CT1G

частка акцыі: 120582

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

FDMD8900

частка акцыі: 75697

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 19A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

EFC6605R-V-TR

частка акцыі: 166880

VEC2415-TL-W-Z

частка акцыі: 88

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

FDMC6890NZ

частка акцыі: 169827

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

SI4542DY

частка акцыі: 41210

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NTZD3154NT5G

частка акцыі: 195594

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

NTGD3148NT1G

частка акцыі: 137924

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDS8935

частка акцыі: 118941

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NVMFD5877NLT3G

частка акцыі: 193353

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDMD84100

частка акцыі: 50072

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

FDS3890

частка акцыі: 94529

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

NVMFD5853NT1G

частка акцыі: 93756

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

NTMFD5C680NLT1G

частка акцыі: 134

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 13µA,

VEC2315-TL-W

частка акцыі: 104072

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5C466NT1G

частка акцыі: 202

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-W

частка акцыі: 134439

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

FDMD8540L

частка акцыі: 32944

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 33A, 156A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

ECH8667-TL-H

частка акцыі: 184233

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 2.5A, 10V,

NVMFD5C668NLWFT1G

частка акцыі: 150

NVMFD5C650NLT1G

частка акцыі: 53

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 98µA,

MCH6664-TL-W

частка акцыі: 105892

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 800mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

STZD3155CT1G

частка акцыі: 125221

EFC4619R-TR

частка акцыі: 178337

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMD82100

частка акцыі: 51947

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

FDS4501H

частка акцыі: 130119

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.3A, 5.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLWFT1G

частка акцыі: 87425

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200

частка акцыі: 104070

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NVMFD5C462NT1G

частка акцыі: 57

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17.6A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.5V @ 250µA,

NVMFD5C462NWFT1G

частка акцыі: 119