Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Тырыстары - SCR

  • Дом
  •  
  • Тырыстары - SCR
2N5064RLRMG
ON Semiconductor

2N5064RLRMG

частка акцыі: 7685

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5060RLRMG
ON Semiconductor

2N5060RLRMG

частка акцыі: 7656

Напружанне - выключанае: 30V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N6509T
ON Semiconductor

2N6509T

частка акцыі: 7661

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
2N6401
ON Semiconductor

2N6401

частка акцыі: 4823

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
2N6400
ON Semiconductor

2N6400

частка акцыі: 7723

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
2N6394
ON Semiconductor

2N6394

частка акцыі: 7735

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.2V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў
2N5064RLRM
ON Semiconductor

2N5064RLRM

частка акцыі: 7735

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5062G
ON Semiconductor

2N5062G

частка акцыі: 7644

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5060RLRM
ON Semiconductor

2N5060RLRM

частка акцыі: 7686

Напружанне - выключанае: 30V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5060RLRAG
ON Semiconductor

2N5060RLRAG

частка акцыі: 7692

Напружанне - выключанае: 30V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5064G
ON Semiconductor

2N5064G

частка акцыі: 7694

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5061G
ON Semiconductor

2N5061G

частка акцыі: 7617

Напружанне - выключанае: 60V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5064RLRAG
ON Semiconductor

2N5064RLRAG

частка акцыі: 7644

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5060G
ON Semiconductor

2N5060G

частка акцыі: 4808

Напружанне - выключанае: 30V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5061RLRAG
ON Semiconductor

2N5061RLRAG

частка акцыі: 7622

Напружанне - выключанае: 60V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5062RLRAG
ON Semiconductor

2N5062RLRAG

частка акцыі: 7629

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5062RLRA
ON Semiconductor

2N5062RLRA

частка акцыі: 4782

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5064RLRA
ON Semiconductor

2N5064RLRA

частка акцыі: 7597

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
2N5061RLRA
ON Semiconductor

2N5061RLRA

частка акцыі: 7659

Напружанне - выключанае: 60V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
C122F1
ON Semiconductor

C122F1

частка акцыі: 7726

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 25mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.83V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў
MCR12LDG
ON Semiconductor

MCR12LDG

частка акцыі: 7633

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 8mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.6A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў
MCR68-002
ON Semiconductor

MCR68-002

частка акцыі: 7675

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў
MCR8SM
ON Semiconductor

MCR8SM

частка акцыі: 7641

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў
MCR22-8G
ON Semiconductor

MCR22-8G

частка акцыі: 7721

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1.5A,

Ліст з жаданняў
MCR12DSMT4
ON Semiconductor

MCR12DSMT4

частка акцыі: 7684

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.9V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.6A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў
MCR100-6RL
ON Semiconductor

MCR100-6RL

частка акцыі: 7666

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
MCR12DSN-001
ON Semiconductor

MCR12DSN-001

частка акцыі: 7596

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.9V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.6A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў
MCR22-6RLRA
ON Semiconductor

MCR22-6RLRA

частка акцыі: 7626

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1.5A,

Ліст з жаданняў
NCR169DG
ON Semiconductor

NCR169DG

частка акцыі: 7646

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
NYC008-6JG
ON Semiconductor

NYC008-6JG

частка акцыі: 4837

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
MCR100-4G
ON Semiconductor

MCR100-4G

частка акцыі: 7672

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
MCR100-4RLRMG
ON Semiconductor

MCR100-4RLRMG

частка акцыі: 7729

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў
MCR8DCMT4
ON Semiconductor

MCR8DCMT4

частка акцыі: 7693

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў
MCR708A1
ON Semiconductor

MCR708A1

частка акцыі: 7698

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 75µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1.6A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў
MCR218-002
ON Semiconductor

MCR218-002

частка акцыі: 7713

Напружанне - выключанае: 50V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 25mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў
MCR100-004
ON Semiconductor

MCR100-004

частка акцыі: 4793

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў