Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
BAV99_S00Z
ON Semiconductor

BAV99_S00Z

частка акцыі: 3810

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV74_D87Z
ON Semiconductor

BAV74_D87Z

частка акцыі: 3808

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70_S00Z
ON Semiconductor

BAV70_S00Z

частка акцыі: 3819

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70_L99Z
ON Semiconductor

BAV70_L99Z

частка акцыі: 3743

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70_D87Z
ON Semiconductor

BAV70_D87Z

частка акцыі: 3781

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAR43S
ON Semiconductor

BAR43S

частка акцыі: 168353

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS16DXV6T5G
ON Semiconductor

BAS16DXV6T5G

частка акцыі: 3729

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70DXV6T1G
ON Semiconductor

BAV70DXV6T1G

частка акцыі: 3761

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70DXV6T1
ON Semiconductor

BAV70DXV6T1

частка акцыі: 3718

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS16DXV6T1
ON Semiconductor

BAS16DXV6T1

частка акцыі: 3685

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS21SLT1
ON Semiconductor

BAS21SLT1

частка акцыі: 3712

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 225mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAV70DXV6T5
ON Semiconductor

BAV70DXV6T5

частка акцыі: 3741

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS16DXV6T5
ON Semiconductor

BAS16DXV6T5

частка акцыі: 3759

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAW56WT1
ON Semiconductor

BAW56WT1

частка акцыі: 3731

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99RWT1
ON Semiconductor

BAV99RWT1

частка акцыі: 3750

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAS40-06LT1
ON Semiconductor

BAS40-06LT1

частка акцыі: 3694

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54S
ON Semiconductor

BAT54S

частка акцыі: 100972

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV23CLT3G
ON Semiconductor

BAV23CLT3G

частка акцыі: 151396

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAW74-D87Z
ON Semiconductor

BAW74-D87Z

частка акцыі: 21526

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54CXV3T1G
ON Semiconductor

BAT54CXV3T1G

частка акцыі: 168533

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV23S
ON Semiconductor

BAV23S

частка акцыі: 181031

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54AWT1G
ON Semiconductor

BAT54AWT1G

частка акцыі: 163351

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS21SLT1G
ON Semiconductor

BAS21SLT1G

частка акцыі: 180096

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 225mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAT54CTT1G
ON Semiconductor

BAT54CTT1G

частка акцыі: 186078

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS31
ON Semiconductor

BAS31

частка акцыі: 129123

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 400mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70TT1G
ON Semiconductor

BAV70TT1G

частка акцыі: 157803

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99RWT1G
ON Semiconductor

BAV99RWT1G

частка акцыі: 110782

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAV70M3T5G
ON Semiconductor

BAV70M3T5G

частка акцыі: 188988

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS40-06LT1G
ON Semiconductor

BAS40-06LT1G

частка акцыі: 125289

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

частка акцыі: 180179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV23CLT1G
ON Semiconductor

BAV23CLT1G

частка акцыі: 146931

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAT54CLT3G
ON Semiconductor

BAT54CLT3G

частка акцыі: 112816

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV99
ON Semiconductor

BAV99

частка акцыі: 156101

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAS70-04LT1G
ON Semiconductor

BAS70-04LT1G

частка акцыі: 113236

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70WT1G
ON Semiconductor

BAV70WT1G

частка акцыі: 128620

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAV70LT3G
ON Semiconductor

BAV70LT3G

частка акцыі: 198983

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў