Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
FGA6540WDF
ON Semiconductor

FGA6540WDF

частка акцыі: 25417

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

частка акцыі: 14109

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 384W,

Ліст з жаданняў
HGTG5N120BND
ON Semiconductor

HGTG5N120BND

частка акцыі: 23888

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
FGH50N3
ON Semiconductor

FGH50N3

частка акцыі: 11903

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

частка акцыі: 36448

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 139W,

Ліст з жаданняў
NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

частка акцыі: 33687

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

частка акцыі: 35991

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Ліст з жаданняў
ISL9V5045S3ST
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

частка акцыі: 36869

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 480V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65UQDF-F155
ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

частка акцыі: 2159

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 231W,

Ліст з жаданняў
FGB3440G2-F085
ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

частка акцыі: 4330

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26.9A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166W,

Ліст з жаданняў
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

частка акцыі: 14369

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

частка акцыі: 2934

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

частка акцыі: 8702

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

частка акцыі: 349

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 187W,

Ліст з жаданняў
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

частка акцыі: 19234

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

частка акцыі: 9959

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

частка акцыі: 305

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

частка акцыі: 31770

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Ліст з жаданняў
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

частка акцыі: 49912

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 88A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 54W,

Ліст з жаданняў
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

частка акцыі: 13888

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

частка акцыі: 15535

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 384W,

Ліст з жаданняў
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

частка акцыі: 11749

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 750W,

Ліст з жаданняў
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

частка акцыі: 36619

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

частка акцыі: 45142

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 208W,

Ліст з жаданняў
HGTP12N60A4D
ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

частка акцыі: 43378

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

частка акцыі: 27550

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 178W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

частка акцыі: 9534

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 452W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

частка акцыі: 16170

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

частка акцыі: 58672

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGA40N65SMD
ON Semiconductor

FGA40N65SMD

частка акцыі: 32540

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
FGH50N6S2D
ON Semiconductor

FGH50N6S2D

частка акцыі: 8377

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

частка акцыі: 15836

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 216A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

частка акцыі: 20044

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 384W,

Ліст з жаданняў
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

частка акцыі: 19849

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

частка акцыі: 32584

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

частка акцыі: 20124

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 319W,

Ліст з жаданняў