Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

частка акцыі: 14687

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

частка акцыі: 11089

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 223W,

Ліст з жаданняў
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

частка акцыі: 31860

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

частка акцыі: 43676

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

частка акцыі: 13542

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 312W,

Ліст з жаданняў
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

частка акцыі: 7369

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 480W,

Ліст з жаданняў
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

частка акцыі: 12151

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 455W,

Ліст з жаданняў
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

частка акцыі: 20638

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

частка акцыі: 144068

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Магутнасць - Макс: 40W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

частка акцыі: 12509

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 454W,

Ліст з жаданняў
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

частка акцыі: 10416

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 452W,

Ліст з жаданняў
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

частка акцыі: 9325

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 313W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

частка акцыі: 17791

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 394W,

Ліст з жаданняў
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

частка акцыі: 402

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 186W,

Ліст з жаданняў
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

частка акцыі: 20854

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Ліст з жаданняў
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

частка акцыі: 22935

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 378W,

Ліст з жаданняў
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

частка акцыі: 256

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

частка акцыі: 62700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 54W,

Ліст з жаданняў
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

частка акцыі: 37370

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

частка акцыі: 18097

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 366W,

Ліст з жаданняў
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

частка акцыі: 2512

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 333W,

Ліст з жаданняў
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

частка акцыі: 18136

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 306W,

Ліст з жаданняў
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

частка акцыі: 2672

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 428W,

Ліст з жаданняў
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

частка акцыі: 13786

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 333W,

Ліст з жаданняў
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

частка акцыі: 26339

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 272W,

Ліст з жаданняў
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

частка акцыі: 1477

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 312W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

частка акцыі: 18543

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 394W,

Ліст з жаданняў
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

частка акцыі: 11394

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

частка акцыі: 16438

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

частка акцыі: 14704

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 394W,

Ліст з жаданняў
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

частка акцыі: 63148

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Ліст з жаданняў
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

частка акцыі: 2946

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

частка акцыі: 2948

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

частка акцыі: 27784

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

частка акцыі: 18131

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

частка акцыі: 11528

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 180W,

Ліст з жаданняў