Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

частка акцыі: 21639

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 267W,

Ліст з жаданняў
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

частка акцыі: 28379

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 164W,

Ліст з жаданняў
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

частка акцыі: 6590

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
MGB15N40CLT4
ON Semiconductor

MGB15N40CLT4

частка акцыі: 6607

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 25A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGD8201NT4
ON Semiconductor

NGD8201NT4

частка акцыі: 6663

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGW10N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW10N60RUFDTM

частка акцыі: 6657

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 75W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60FL2WG

частка акцыі: 18740

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 366W,

Ліст з жаданняў
SGP6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP6N60UFDTU

частка акцыі: 6631

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 30W,

Ліст з жаданняў
FGD3N60UNDF
ON Semiconductor

FGD3N60UNDF

частка акцыі: 191602

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 9A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor

FGB5N60UNDF

частка акцыі: 65502

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 15A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 73.5W,

Ліст з жаданняў
SGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDTU

частка акцыі: 6629

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH30N60RUFDTU

частка акцыі: 24034

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 235W,

Ліст з жаданняў
NGD15N41CLT4
ON Semiconductor

NGD15N41CLT4

частка акцыі: 6594

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў
FGH40N6S2D
ON Semiconductor

FGH40N6S2D

частка акцыі: 6580

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
SGR2N60UFDTF
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTF

частка акцыі: 6586

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.4A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Магутнасць - Макс: 25W,

Ліст з жаданняў
FGH50N6S2
ON Semiconductor

FGH50N6S2

частка акцыі: 6596

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor

NGB15N41CLT4

частка акцыі: 6619

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў
HGTG12N60A4
ON Semiconductor

HGTG12N60A4

частка акцыі: 6638

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGB8207NT4G
ON Semiconductor

NGB8207NT4G

частка акцыі: 6633

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 365V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F085

частка акцыі: 6499

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 375W,

Ліст з жаданняў
NGTB25N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WAG

частка акцыі: 20398

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 385W,

Ліст з жаданняў
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TTU

частка акцыі: 5753

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 49.2W,

Ліст з жаданняў
FGH75T65SQDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT-F155

частка акцыі: 6523

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 375W,

Ліст з жаданняў
FGB20N6S2
ON Semiconductor

FGB20N6S2

частка акцыі: 6597

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGU20N40LTU
ON Semiconductor

SGU20N40LTU

частка акцыі: 6633

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Магутнасць - Макс: 45W,

Ліст з жаданняў
FGA6530WDF
ON Semiconductor

FGA6530WDF

частка акцыі: 31311

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 176W,

Ліст з жаданняў
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

частка акцыі: 6656

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

частка акцыі: 6645

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

частка акцыі: 5700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 30W,

Ліст з жаданняў
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

частка акцыі: 20873

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

частка акцыі: 5732

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

частка акцыі: 6595

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

частка акцыі: 6513

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

частка акцыі: 6572

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 750W,

Ліст з жаданняў
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

частка акцыі: 6635

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 201W,

Ліст з жаданняў
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

частка акцыі: 41664

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 75W,

Ліст з жаданняў