Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
SGP15N60RUFTU
ON Semiconductor

SGP15N60RUFTU

частка акцыі: 6613

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
HGT1S2N120CN
ON Semiconductor

HGT1S2N120CN

частка акцыі: 6626

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
SGW5N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW5N60RUFDTM

частка акцыі: 6618

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 15A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
FGH30N6S2D
ON Semiconductor

FGH30N6S2D

частка акцыі: 6658

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
FGH60N6S2
ON Semiconductor

FGH60N6S2

частка акцыі: 6576

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 320A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
FGA40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA40N60UFDTU

частка акцыі: 6565

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3036P3
ON Semiconductor

ISL9V3036P3

частка акцыі: 6611

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGPF30N45TTU
ON Semiconductor

FGPF30N45TTU

частка акцыі: 6685

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 50.4W,

Ліст з жаданняў
FGPF50N30TTU
ON Semiconductor

FGPF50N30TTU

частка акцыі: 58620

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 46.8W,

Ліст з жаданняў
NGTB03N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB03N60R2DT4G

частка акцыі: 145587

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 9A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 49W,

Ліст з жаданняў
FGH75N60SFTU
ON Semiconductor

FGH75N60SFTU

частка акцыі: 13647

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 452W,

Ліст з жаданняў
HGTP3N60A4D
ON Semiconductor

HGTP3N60A4D

частка акцыі: 51983

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 70W,

Ліст з жаданняў
HGTP2N120CN
ON Semiconductor

HGTP2N120CN

частка акцыі: 6659

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3040D3S
ON Semiconductor

ISL9V3040D3S

частка акцыі: 6572

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGH20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60UFDTU

частка акцыі: 25749

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
HGTP7N60A4-F102
ON Semiconductor

HGTP7N60A4-F102

частка акцыі: 5646

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGA25N120ANTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTU

частка акцыі: 6592

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 310W,

Ліст з жаданняў
SGS23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS23N60UFDTU

частка акцыі: 79708

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 73W,

Ліст з жаданняў
NGB18N40CLBT4G
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4G

частка акцыі: 6651

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
HGTP7N60B3D
ON Semiconductor

HGTP7N60B3D

частка акцыі: 6665

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
SGP5N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP5N60RUFDTU

частка акцыі: 6608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 15A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
SGH15N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH15N60RUFDTU

частка акцыі: 6670

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
SGS13N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS13N60UFDTU

частка акцыі: 6606

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 52A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 45W,

Ліст з жаданняў
HGTG11N120CN
ON Semiconductor

HGTG11N120CN

частка акцыі: 5731

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
FGPF30N30
ON Semiconductor

FGPF30N30

частка акцыі: 6691

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 46W,

Ліст з жаданняў
SGP40N60UFTU
ON Semiconductor

SGP40N60UFTU

частка акцыі: 6599

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
SGL60N90DG3YDTU
ON Semiconductor

SGL60N90DG3YDTU

частка акцыі: 6595

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 180W,

Ліст з жаданняў
SGH40N60UFDM1TU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDM1TU

частка акцыі: 6671

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
HGT1S14N36G3VLT
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLT

частка акцыі: 6664

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 100W,

Ліст з жаданняў
SGL5N150UFTU
ON Semiconductor

SGL5N150UFTU

частка акцыі: 6598

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGA50S110P
ON Semiconductor

FGA50S110P

частка акцыі: 34365

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1100V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
HGTG7N60A4D
ON Semiconductor

HGTG7N60A4D

частка акцыі: 36176

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGS6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFDTU

частка акцыі: 6665

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 22W,

Ліст з жаданняў
FGPF30N30DTU
ON Semiconductor

FGPF30N30DTU

частка акцыі: 5752

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 46W,

Ліст з жаданняў
ISL9V2540S3S
ON Semiconductor

ISL9V2540S3S

частка акцыі: 6626

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166.7W,

Ліст з жаданняў
NGB8202NT4
ON Semiconductor

NGB8202NT4

частка акцыі: 6645

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў