Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

частка акцыі: 6573

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 33W,

Ліст з жаданняў
FGH20N6S2
ON Semiconductor

FGH20N6S2

частка акцыі: 6613

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFDTU

частка акцыі: 5661

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 195W,

Ліст з жаданняў
FGD3440G2-F085
ON Semiconductor

FGD3440G2-F085

частка акцыі: 21532

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26.9A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166W,

Ліст з жаданняў
FGP20N6S2D
ON Semiconductor

FGP20N6S2D

частка акцыі: 6642

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGA15N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA15N120FTDTU

частка акцыі: 5620

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 220W,

Ліст з жаданняў
HGTP10N120BN
ON Semiconductor

HGTP10N120BN

частка акцыі: 41051

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
NGB8206N
ON Semiconductor

NGB8206N

частка акцыі: 6636

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGA180N30DTU
ON Semiconductor

FGA180N30DTU

частка акцыі: 6662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 180A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 450A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 480W,

Ліст з жаданняў
HGT1S7N60C3DS9A
ON Semiconductor

HGT1S7N60C3DS9A

частка акцыі: 6594

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
HGTP12N60C3
ON Semiconductor

HGTP12N60C3

частка акцыі: 6644

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFTU

частка акцыі: 6598

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 22W,

Ліст з жаданняў
SGR20N40LTF
ON Semiconductor

SGR20N40LTF

частка акцыі: 6621

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Магутнасць - Макс: 45W,

Ліст з жаданняў
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB25N120IHLWG

частка акцыі: 24017

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 192W,

Ліст з жаданняў
SGF23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDTU

частка акцыі: 6655

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 75W,

Ліст з жаданняў
FGPF120N30TU
ON Semiconductor

FGPF120N30TU

частка акцыі: 6635

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў
FGPF90N30
ON Semiconductor

FGPF90N30

частка акцыі: 6597

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 56.8W,

Ліст з жаданняў
SGL40N150TU
ON Semiconductor

SGL40N150TU

частка акцыі: 6631

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Ліст з жаданняў
FGB30N6S2D
ON Semiconductor

FGB30N6S2D

частка акцыі: 6628

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4

частка акцыі: 5727

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
SGR15N40LTM
ON Semiconductor

SGR15N40LTM

частка акцыі: 6637

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A, Магутнасць - Макс: 45W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3036S3S
ON Semiconductor

ISL9V3036S3S

частка акцыі: 6651

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
ISL9V2040P3
ON Semiconductor

ISL9V2040P3

частка акцыі: 6592

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Ліст з жаданняў
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N60FL2WG

частка акцыі: 33733

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB10N60R2DT4G

частка акцыі: 119694

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 72W,

Ліст з жаданняў
FGPF30N30TTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TTU

частка акцыі: 6650

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 44.6W,

Ліст з жаданняў
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNS

частка акцыі: 22373

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
FGB30N6S2T
ON Semiconductor

FGB30N6S2T

частка акцыі: 6578

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
FGPF7N60LSDTU
ON Semiconductor

FGPF7N60LSDTU

частка акцыі: 6697

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 45W,

Ліст з жаданняў
FGA90N33ATDTU
ON Semiconductor

FGA90N33ATDTU

частка акцыі: 196806

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 330A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 223W,

Ліст з жаданняў
FGB40N60SM
ON Semiconductor

FGB40N60SM

частка акцыі: 32395

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
NGB8204NT4G
ON Semiconductor

NGB8204NT4G

частка акцыі: 5688

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
FGI3040G2-F085
ON Semiconductor

FGI3040G2-F085

частка акцыі: 6451

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLS

частка акцыі: 6647

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 100W,

Ліст з жаданняў
HGT1S20N36G3VL
ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

частка акцыі: 6649

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 395V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 37.7A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
SGH80N60UFTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFTU

частка акцыі: 6614

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 195W,

Ліст з жаданняў