Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
NGTG30N60FWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FWG

частка акцыі: 17306

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB05N60R2DT4G

частка акцыі: 169827

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 56W,

Ліст з жаданняў
NGTB20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTB20N60L2TF1G

частка акцыі: 33843

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 64W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N60IHLWG

частка акцыі: 22110

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

частка акцыі: 6871

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Ліст з жаданняў
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

частка акцыі: 104319

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

Ліст з жаданняў
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM-T

частка акцыі: 6852

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Магутнасць - Макс: 40W,

Ліст з жаданняў
HGTP20N60A4
ON Semiconductor

HGTP20N60A4

частка акцыі: 36974

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP10N60RUFDTU

частка акцыі: 74706

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 75W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHWG

частка акцыі: 6811

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 278W,

Ліст з жаданняў
NGP15N41CLG
ON Semiconductor

NGP15N41CLG

частка акцыі: 6854

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Ліст з жаданняў
NGTG15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

частка акцыі: 51621

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 117W,

Ліст з жаданняў
NGTB75N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

частка акцыі: 9734

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
NGB8204NT4
ON Semiconductor

NGB8204NT4

частка акцыі: 6877

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
FGA50N60LS
ON Semiconductor

FGA50N60LS

частка акцыі: 6865

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 240W,

Ліст з жаданняў
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP23N60UFDTU

частка акцыі: 74718

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N120LWG
ON Semiconductor

NGTB30N120LWG

частка акцыі: 6791

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 560W,

Ліст з жаданняў
FGH80N60FD2TU
ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU

частка акцыі: 15656

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor

FGD4536TM_SN00306

частка акцыі: 6801

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFDTU

частка акцыі: 8114

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor

ISL9V5036P3-F085

частка акцыі: 5905

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 46A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WG

частка акцыі: 7494

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 535W,

Ліст з жаданняў
FGD4536TM
ON Semiconductor

FGD4536TM

частка акцыі: 6793

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

частка акцыі: 30688

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N60FWG
ON Semiconductor

NGTB30N60FWG

частка акцыі: 5739

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 167W,

Ліст з жаданняў
NGB8202NT4G
ON Semiconductor

NGB8202NT4G

частка акцыі: 6729

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGA70N30TDTU
ON Semiconductor

FGA70N30TDTU

частка акцыі: 6666

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 201W,

Ліст з жаданняў
FGD2N40L
ON Semiconductor

FGD2N40L

частка акцыі: 6663

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 29A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 2.4V, 2.5A, Магутнасць - Макс: 29W,

Ліст з жаданняў
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

частка акцыі: 5739

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 375V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

частка акцыі: 5662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 27A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

частка акцыі: 6608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

частка акцыі: 6602

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

частка акцыі: 6629

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Ліст з жаданняў
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

частка акцыі: 6576

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.4A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Магутнасць - Макс: 25W,

Ліст з жаданняў
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

частка акцыі: 144045

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 69W,

Ліст з жаданняў
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

частка акцыі: 21621

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 180W,

Ліст з жаданняў