Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

частка акцыі: 15225

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

частка акцыі: 28668

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Ліст з жаданняў
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

частка акцыі: 11061

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 348W,

Ліст з жаданняў
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

частка акцыі: 36618

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 64W,

Ліст з жаданняў
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

частка акцыі: 2622

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 187W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

частка акцыі: 57552

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

частка акцыі: 7703

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 535W,

Ліст з жаданняў
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

частка акцыі: 30705

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 55W,

Ліст з жаданняў
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

частка акцыі: 15222

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 115W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

частка акцыі: 22404

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

частка акцыі: 1603

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 428W,

Ліст з жаданняў
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

частка акцыі: 10243

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 63A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 252A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 208W,

Ліст з жаданняў
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

частка акцыі: 20366

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 385W,

Ліст з жаданняў
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

частка акцыі: 2318

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 333W,

Ліст з жаданняў
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

частка акцыі: 33497

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

частка акцыі: 12525

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 391W,

Ліст з жаданняў
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

частка акцыі: 56586

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 70W,

Ліст з жаданняў
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

частка акцыі: 54229

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 83W,

Ліст з жаданняў
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

частка акцыі: 13856

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 340W,

Ліст з жаданняў
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

частка акцыі: 2590

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

частка акцыі: 15833

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

частка акцыі: 17142

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

частка акцыі: 24869

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 294W,

Ліст з жаданняў
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

частка акцыі: 11041

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

частка акцыі: 14414

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 394W,

Ліст з жаданняў
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

частка акцыі: 82176

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 36A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A, Магутнасць - Макс: 83W,

Ліст з жаданняў
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

частка акцыі: 8802

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 882W,

Ліст з жаданняў
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

частка акцыі: 44207

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

частка акцыі: 15023

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

частка акцыі: 24513

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

частка акцыі: 9261

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 534W,

Ліст з жаданняў
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

частка акцыі: 17028

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

частка акцыі: 35282

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 405W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

частка акцыі: 2954

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

частка акцыі: 2540

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

частка акцыі: 11952

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 165A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 390W,

Ліст з жаданняў