Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
FGA40T65SHD
ON Semiconductor

FGA40T65SHD

частка акцыі: 23321

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
FGH60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU

частка акцыі: 11490

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

частка акцыі: 47036

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 117W,

Ліст з жаданняў
FGY160T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY160T65SPD-F085

частка акцыі: 4819

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 480A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Магутнасць - Макс: 882W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

частка акцыі: 867

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 405W,

Ліст з жаданняў
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

частка акцыі: 18823

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 385W,

Ліст з жаданняў
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

частка акцыі: 19793

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 480W,

Ліст з жаданняў
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

частка акцыі: 28232

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Ліст з жаданняў
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

частка акцыі: 44197

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Ліст з жаданняў
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

частка акцыі: 292

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

частка акцыі: 1512

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 455W,

Ліст з жаданняў
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

частка акцыі: 25775

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Ліст з жаданняў
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

частка акцыі: 6189

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
NGTB50N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WAG

частка акцыі: 17317

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
ISL9V5045S3ST-F085
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST-F085

частка акцыі: 281

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 480V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
FGH60N60SFTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFTU

частка акцыі: 15472

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 378W,

Ліст з жаданняў
FGA40S65SH
ON Semiconductor

FGA40S65SH

частка акцыі: 28712

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120S3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120S3WG

частка акцыі: 11383

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 454W,

Ліст з жаданняў
FGH40T120SMD
ON Semiconductor

FGH40T120SMD

частка акцыі: 16633

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 555W,

Ліст з жаданняў
NGTB10N60FG
ON Semiconductor

NGTB10N60FG

частка акцыі: 60662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 72A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 40W,

Ліст з жаданняў
HGTG20N60B3
ON Semiconductor

HGTG20N60B3

частка акцыі: 20869

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F085

частка акцыі: 2980

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 267W,

Ліст з жаданняў
NGTD30T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD30T120F2SWK

частка акцыі: 18661

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU-F085

частка акцыі: 2947

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 378W,

Ліст з жаданняў
FGH60N60UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU-F085

частка акцыі: 2221

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
FGA30N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

частка акцыі: 10979

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 339W,

Ліст з жаданняў
FGA15S125P
ON Semiconductor

FGA15S125P

частка акцыі: 64311

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 136W,

Ліст з жаданняў
ISL9V3040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040D3ST

частка акцыі: 110742

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
HGTP7N60A4
ON Semiconductor

HGTP7N60A4

частка акцыі: 63084

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Ліст з жаданняў
FGA25S125P-SN00337
ON Semiconductor

FGA25S125P-SN00337

частка акцыі: 2956

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD30T120F2WP

частка акцыі: 18869

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Ліст з жаданняў
NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N135IHRWG

частка акцыі: 24545

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 357W,

Ліст з жаданняў
NGTB75N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WG

частка акцыі: 9489

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
NGTG40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG40N120FL2WG

частка акцыі: 11911

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 535W,

Ліст з жаданняў
NGTB15N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHRWG

частка акцыі: 26893

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 333W,

Ліст з жаданняў
ISL9V2540S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2540S3ST

частка акцыі: 61457

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166.7W,

Ліст з жаданняў