Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
NGTD13T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD13T65F2SWK

частка акцыі: 43681

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Ліст з жаданняў
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

частка акцыі: 29738

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
FGA30T65SHD
ON Semiconductor

FGA30T65SHD

частка акцыі: 27345

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 238W,

Ліст з жаданняў
HGTG30N60B3
ON Semiconductor

HGTG30N60B3

частка акцыі: 20902

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 208W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

частка акцыі: 22929

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
HGTG40N60B3
ON Semiconductor

HGTG40N60B3

частка акцыі: 8155

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 330A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
NGTG35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

частка акцыі: 23259

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

частка акцыі: 23931

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
HGTG11N120CND
ON Semiconductor

HGTG11N120CND

частка акцыі: 21846

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Магутнасць - Макс: 298W,

Ліст з жаданняў
FGD3245G2-F085
ON Semiconductor

FGD3245G2-F085

частка акцыі: 225

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGL35N120FTDTU
ON Semiconductor

FGL35N120FTDTU

частка акцыі: 7370

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 368W,

Ліст з жаданняў
FGAF40S65AQ
ON Semiconductor

FGAF40S65AQ

частка акцыі: 2371

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 94W,

Ліст з жаданняў
FGH30S130P
ON Semiconductor

FGH30S130P

частка акцыі: 13155

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
FGH20N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU

частка акцыі: 36732

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

частка акцыі: 20768

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 225W,

Ліст з жаданняў
FGH50T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH50T65SQD-F155

частка акцыі: 5157

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 268W,

Ліст з жаданняў
FGP20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGP20N60UFDTU

частка акцыі: 26370

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Ліст з жаданняў
ISL9V2040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040D3ST

частка акцыі: 125426

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Ліст з жаданняў
FGH40T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

частка акцыі: 2943

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Ліст з жаданняў
HGTG18N120BND
ON Semiconductor

HGTG18N120BND

частка акцыі: 10214

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 390W,

Ліст з жаданняў
HGTG20N60A4
ON Semiconductor

HGTG20N60A4

частка акцыі: 15335

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
NGTD23T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD23T120F2WP

частка акцыі: 24715

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

Ліст з жаданняў
FGD3040G2-F085
ON Semiconductor

FGD3040G2-F085

частка акцыі: 254

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
FGA50N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGA50N100BNTDTU

частка акцыі: 21668

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
NGTB40N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL3WG

частка акцыі: 13060

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 454W,

Ліст з жаданняў
FGH40T120SQDNL4
ON Semiconductor

FGH40T120SQDNL4

частка акцыі: 2822

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 454W,

Ліст з жаданняў
FGL40N120ANDTU
ON Semiconductor

FGL40N120ANDTU

частка акцыі: 10497

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
FGH60T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SHD-F155

частка акцыі: 4029

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 349W,

Ліст з жаданняў
FGD2736G3-F085
ON Semiconductor

FGD2736G3-F085

частка акцыі: 336

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4.5V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Ліст з жаданняў
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N65IHL2WG

частка акцыі: 22140

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
HGTG40N60A4
ON Semiconductor

HGTG40N60A4

частка акцыі: 7030

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
NGTB45N60S2WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG

частка акцыі: 22667

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 300W,

Ліст з жаданняў
FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor

FGH75T65SQDNL4

частка акцыі: 2906

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 375W,

Ліст з жаданняў
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFTU

частка акцыі: 19790

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Ліст з жаданняў
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor

HGTP12N60C3D

частка акцыі: 30296

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 104W,

Ліст з жаданняў
SGL50N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGL50N60RUFDTU

частка акцыі: 9347

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў