Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXXH100N60C3
IXYS

IXXH100N60C3

частка акцыі: 6207

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 190A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 380A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXGX320N60B3
IXYS

IXGX320N60B3

частка акцыі: 4411

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1700W,

Пажаданні
IXYP20N65C3D1
IXYS

IXYP20N65C3D1

частка акцыі: 27748

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXBK55N300
IXYS

IXBK55N300

частка акцыі: 971

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A, Магутнасць - Макс: 625W,

Пажаданні
IXGH30N60C3D1
IXYS

IXGH30N60C3D1

частка акцыі: 12434

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 220W,

Пажаданні
MMIX1X340N65B4
IXYS

MMIX1X340N65B4

частка акцыі: 254

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 450A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Магутнасць - Макс: 1200W,

Пажаданні
IXGT25N160
IXYS

IXGT25N160

частка акцыі: 6446

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGR6N170A
IXYS

IXGR6N170A

частка акцыі: 5274

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні
IXGF20N300
IXYS

IXGF20N300

частка акцыі: 2033

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 103A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGT10N170
IXYS

IXGT10N170

частка акцыі: 11276

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 110W,

Пажаданні
IXYH75N120B4
IXYS

IXYH75N120B4

частка акцыі: 171

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 440A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 1150W,

Пажаданні
IXYH25N250CHV
IXYS

IXYH25N250CHV

частка акцыі: 2797

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 235A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 937W,

Пажаданні
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

частка акцыі: 13888

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 417W,

Пажаданні
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

частка акцыі: 15535

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 384W,

Пажаданні
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

частка акцыі: 11749

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

частка акцыі: 36619

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Пажаданні
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

частка акцыі: 45142

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 208W,

Пажаданні
IRG4PF50WDPBF
Infineon Technologies

IRG4PF50WDPBF

частка акцыі: 7485

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 204A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IKD10N60RFATMA1
Infineon Technologies

IKD10N60RFATMA1

частка акцыі: 92594

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IGZ75N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGZ75N65H5XKSA1

частка акцыі: 19008

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 119A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 395W,

Пажаданні
IGW15T120FKSA1
Infineon Technologies

IGW15T120FKSA1

частка акцыі: 22774

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 110W,

Пажаданні
IHW20N135R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW20N135R3FKSA1

частка акцыі: 15786

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 310W,

Пажаданні
IRGP4266DPBF
Infineon Technologies

IRGP4266DPBF

частка акцыі: 6085

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
IKA08N65ET6XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65ET6XKSA1

частка акцыі: 3022

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 33W,

Пажаданні
IRG4PSC71UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSC71UDPBF

частка акцыі: 5983

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
STGB30H60DLFB
STMicroelectronics

STGB30H60DLFB

частка акцыі: 49840

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGP30V60F
STMicroelectronics

STGP30V60F

частка акцыі: 26375

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGP20V60F
STMicroelectronics

STGP20V60F

частка акцыі: 33844

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGF20H60DF
STMicroelectronics

STGF20H60DF

частка акцыі: 22814

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 37W,

Пажаданні
STGWA25H120F2
STMicroelectronics

STGWA25H120F2

частка акцыі: 9503

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGP8NC60KD
STMicroelectronics

STGP8NC60KD

частка акцыі: 60554

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 65W,

Пажаданні
STGW40H65DFB
STMicroelectronics

STGW40H65DFB

частка акцыі: 18239

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGWA15M120DF3
STMicroelectronics

STGWA15M120DF3

частка акцыі: 10140

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGF10M65DF2
STMicroelectronics

STGF10M65DF2

частка акцыі: 69886

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D7BDPQ-E0#T2

частка акцыі: 11505

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
NGD15N41ACLT4G
Littelfuse Inc.

NGD15N41ACLT4G

частка акцыі: 124626

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Пажаданні