Транзістары - JFET

2SK3666-2-TB-E

частка акцыі: 158873

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5116JTXL02

частка акцыі: 945

2N5116JTX02

частка акцыі: 1019

2N5116JTVL02

частка акцыі: 724

2N4392

частка акцыі: 3873

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4859

частка акцыі: 1419

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4860

частка акцыі: 1372

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4092UB

частка акцыі: 1695

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

частка акцыі: 1005

2N5115UB

частка акцыі: 1497

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4857

частка акцыі: 1371

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4392UB

частка акцыі: 2522

2N2609

частка акцыі: 256

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 750mV @ 1A,

2N4091UB

частка акцыі: 1561

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N4092

частка акцыі: 2296

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4858

частка акцыі: 1388

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

частка акцыі: 1010

2N4857UB

частка акцыі: 1002

2N4391

частка акцыі: 66304

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4856

частка акцыі: 1393

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4393UB

частка акцыі: 2593

2N4858UB

частка акцыі: 1010

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V,

2N3821

частка акцыі: 2866

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4091

частка акцыі: 2228

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N3823

частка акцыі: 2889

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 8V @ 500pA,

2N5114

частка акцыі: 2096

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1nA,

2N5115

частка акцыі: 2081

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4391UB

частка акцыі: 2556

2N4093UB

частка акцыі: 1735

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

частка акцыі: 1030

2SK879-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 198791

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-GR(TE85L,F

частка акцыі: 405

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK879-GR(TE85L,F)

частка акцыі: 389

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-O(TE85L,F)

частка акцыі: 342

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-GR(TE85L,F)

частка акцыі: 340

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 123563

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,