Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - Праграмуемая аднаканальнасць

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

частка акцыі: 76016

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 6V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

частка акцыі: 75982

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 6V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

частка акцыі: 54052

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 167mW, Напружанне - выхад: 6V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

частка акцыі: 2509

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

частка акцыі: 2537

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

частка акцыі: 2538

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

частка акцыі: 2531

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

частка акцыі: 2482

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

частка акцыі: 2534

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

частка акцыі: 2493

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

частка акцыі: 2505

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

частка акцыі: 2518

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

частка акцыі: 2522

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 600mV, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 25µA,

Пажаданні
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

частка акцыі: 2457

Напружанне: 40V, Рассейванне магутнасці (макс.): 300mW, Напружанне - выхад: 11V, Напружанне - зрушэнне (Vt): 1.6V, Ток - шлюз да ўцечкі анода (Igao): 10nA, Цячэнне - Даліна (Iv): 50µA,

Пажаданні