Дыёды - РФ

1SV267-TB-E

частка акцыі: 161501

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

1SV315-TL-E

частка акцыі: 143020

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 9 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SV249-TL-E

частка акцыі: 144504

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SV263-TL-E

частка акцыі: 154000

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SV264-TL-E

частка акцыі: 103396

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SS351-TB-E

частка акцыі: 101941

Дыёдны тып: Schottky - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 5V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.9pF @ 0.2V, 1MHz,

Пажаданні

1SV246-TL-EX

частка акцыі: 6972

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SV234-TB-E

частка акцыі: 106394

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

1SV246-TL-E

частка акцыі: 150292

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Series Connection, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 100mW,

Пажаданні

1SV233-TB-E

частка акцыі: 148609

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

Rohm Semiconductor

1SS356TW11

частка акцыі: 118943

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 35V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 200mW,

Пажаданні

Rohm Semiconductor

1SS390TE61

частка акцыі: 124006

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 35V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

1SV308,L3F

частка акцыі: 151

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Пажаданні

1SV308(TH3,F)

частка акцыі: 6994

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Пажаданні

1SV307(TPH3,F)

частка акцыі: 101204

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Пажаданні

1SS315TPH3F

частка акцыі: 154649

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 5V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Пажаданні

1SS381,L3F

частка акцыі: 139396

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz,

Пажаданні

1N5767#T25

частка акцыі: 4753

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

1N5719

частка акцыі: 6960

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 150V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.3pF @ 100V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.25 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

1N5711#T25

частка акцыі: 6870

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

1N5711#T50

частка акцыі: 6774

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

1N5712#T25

частка акцыі: 6849

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 20V, Ток - Макс: 35mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

1N5767

частка акцыі: 6762

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

5082-2800#T50

частка акцыі: 6940

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

5082-3039#T50

частка акцыі: 6869

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 150V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.25pF @ 50V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.25 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

Пажаданні

5082-2835#T25

частка акцыі: 6830

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 8V, Ток - Макс: 10mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

1PS66SB17,115

частка акцыі: 167974

Дыёдны тып: Schottky - 3 Independent, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 4V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.65pF @ 0.5V, 1MHz,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

1PS79SB17,115

частка акцыі: 182327

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 4V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.65pF @ 0.5V, 1MHz,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

1PS76SB17,115

частка акцыі: 113810

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 4V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.65pF @ 0.5V, 1MHz,

Пажаданні

1N5711W-13

частка акцыі: 6965

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 333mW,

Пажаданні

1N5711WS-13

частка акцыі: 6903

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

1N5711WS-7

частка акцыі: 6803

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні

1N5711W-7

частка акцыі: 6808

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 333mW,

Пажаданні

1N5711WS-7-F

частка акцыі: 153211

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 70V, Ток - Макс: 15mA, Ёмістасць @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 150mW,

Пажаданні