Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - RF

150-101N09A-00
IXYS-RF

150-101N09A-00

частка акцыі: 2609

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 9A,

Пажаданні
150-501N04A-00
IXYS-RF

150-501N04A-00

частка акцыі: 2589

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 4.5A,

Пажаданні
150-201N09A-00
IXYS-RF

150-201N09A-00

частка акцыі: 3417

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 9A,

Пажаданні
150-102N02A-00
IXYS-RF

150-102N02A-00

частка акцыі: 2261

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 2A,

Пажаданні
275-201N25A-00
IXYS-RF

275-201N25A-00

частка акцыі: 1378

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 25A,

Пажаданні
275X2-501N16A-00
IXYS-RF

275X2-501N16A-00

частка акцыі: 2046

Тып транзістара: 2 N-Channel (Dual), Бягучы рэйтынг: 16A,

Пажаданні
275X2-102N06A-00
IXYS-RF

275X2-102N06A-00

частка акцыі: 2039

Тып транзістара: 2 N-Channel (Dual), Бягучы рэйтынг: 8A,

Пажаданні
275-101N30A-00
IXYS-RF

275-101N30A-00

частка акцыі: 1808

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 30A,

Пажаданні
275-102N06A-00
IXYS-RF

275-102N06A-00

частка акцыі: 3066

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 8A,

Пажаданні
275-501N16A-00
IXYS-RF

275-501N16A-00

частка акцыі: 3128

Тып транзістара: N-Channel, Бягучы рэйтынг: 16A,

Пажаданні
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor

2SK3557-6-TB-E

частка акцыі: 134271

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 5V, Бягучы рэйтынг: 50mA, Фігура шуму: 1dB,

Пажаданні
2N5484_D74Z
ON Semiconductor

2N5484_D74Z

частка акцыі: 4650

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 400MHz, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 5mA, Фігура шуму: 4dB,

Пажаданні
2SK3737-5-TL-E
ON Semiconductor

2SK3737-5-TL-E

частка акцыі: 6221

Тып транзістара: N-Channel, Прыбытак: 35dB, Напружанне - тэст: 10V, Бягучы рэйтынг: 12mA, Фігура шуму: 2dB,

Пажаданні
2N5952_J35Z
ON Semiconductor

2N5952_J35Z

частка акцыі: 6192

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 8mA, Фігура шуму: 2dB,

Пажаданні
2N5953_J35Z
ON Semiconductor

2N5953_J35Z

частка акцыі: 4633

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 5mA, Фігура шуму: 2dB,

Пажаданні
2N5951_J35Z
ON Semiconductor

2N5951_J35Z

частка акцыі: 6173

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 13mA, Фігура шуму: 2dB,

Пажаданні
2N5247_J35Z
ON Semiconductor

2N5247_J35Z

частка акцыі: 6197

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 400MHz, Фігура шуму: 4dB,

Пажаданні
2N5246_J35Z
ON Semiconductor

2N5246_J35Z

частка акцыі: 6123

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 7mA,

Пажаданні
2N5245_J35Z
ON Semiconductor

2N5245_J35Z

частка акцыі: 6116

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 15mA,

Пажаданні
2N3819
ON Semiconductor

2N3819

частка акцыі: 6095

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 100mA,

Пажаданні
2N5486RLRPG
ON Semiconductor

2N5486RLRPG

частка акцыі: 6157

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 30mA,

Пажаданні
2N5952_D74Z
ON Semiconductor

2N5952_D74Z

частка акцыі: 6087

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 15V, Бягучы рэйтынг: 8mA, Фігура шуму: 2dB,

Пажаданні
2N5950_J18Z
ON Semiconductor

2N5950_J18Z

частка акцыі: 6128

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 15mA,

Пажаданні
2N5555_D74Z
ON Semiconductor

2N5555_D74Z

частка акцыі: 6135

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 15mA,

Пажаданні
2N5950
ON Semiconductor

2N5950

частка акцыі: 6111

Тып транзістара: N-Channel JFET, Бягучы рэйтынг: 15mA,

Пажаданні
2N5247
ON Semiconductor

2N5247

частка акцыі: 6095

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 400MHz, Фігура шуму: 4dB,

Пажаданні
2SK3079ATE12LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3079ATE12LQ

частка акцыі: 25011

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 470MHz, Прыбытак: 13.5dB, Напружанне - тэст: 4.5V, Бягучы рэйтынг: 3A,

Пажаданні
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3756(TE12L,F)

частка акцыі: 38838

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 470MHz, Прыбытак: 12dB, Напружанне - тэст: 4.5V, Бягучы рэйтынг: 1A,

Пажаданні
2SK3475TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3475TE12LF

частка акцыі: 28639

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 520MHz, Прыбытак: 14.9dB, Напружанне - тэст: 7.2V, Бягучы рэйтынг: 1A,

Пажаданні
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4037(TE12L,Q)

частка акцыі: 22269

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 470MHz, Прыбытак: 11.5dB, Напружанне - тэст: 6V, Бягучы рэйтынг: 3A,

Пажаданні
2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-BL(TE85L,F)

частка акцыі: 9945

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 10V, Фігура шуму: 1dB,

Пажаданні
2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 150111

Тып транзістара: N-Channel JFET, Частата: 1kHz, Напружанне - тэст: 10V, Фігура шуму: 1dB,

Пажаданні
2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3476(TE12L,Q)

частка акцыі: 6228

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 520MHz, Прыбытак: 11.4dB, Напружанне - тэст: 7.2V, Бягучы рэйтынг: 3A,

Пажаданні
2SK3078A(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3078A(TE12L,F)

частка акцыі: 6184

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 470MHz, Прыбытак: 8dB, Напружанне - тэст: 4.5V, Бягучы рэйтынг: 500mA,

Пажаданні
2SK3074TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3074TE12LF

частка акцыі: 6224

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 520MHz, Прыбытак: 14.9dB, Напружанне - тэст: 9.6V, Бягучы рэйтынг: 1A,

Пажаданні
2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3075(TE12L,Q)

частка акцыі: 9920

Тып транзістара: N-Channel, Частата: 520MHz, Прыбытак: 11.7dB, Напружанне - тэст: 9.6V, Бягучы рэйтынг: 5A,

Пажаданні