Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

1N6660
Microsemi Corporation

1N6660

частка акцыі: 559

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
161CMQ040
SMC Diode Solutions

161CMQ040

частка акцыі: 2930

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ200
SMC Diode Solutions

16CTQ200

частка акцыі: 111096

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ150
SMC Diode Solutions

16CTQ150

частка акцыі: 165466

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
161CMQ035
SMC Diode Solutions

161CMQ035

частка акцыі: 2957

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
12CTQ040STR
SMC Diode Solutions

12CTQ040STR

частка акцыі: 187844

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
160CMQ035
SMC Diode Solutions

160CMQ035

частка акцыі: 2901

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
10CTQ150STR
SMC Diode Solutions

10CTQ150STR

частка акцыі: 128111

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ080
SMC Diode Solutions

16CTQ080

частка акцыі: 124974

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
161CMQ045
SMC Diode Solutions

161CMQ045

частка акцыі: 2935

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
166CMQ200
SMC Diode Solutions

166CMQ200

частка акцыі: 2944

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
160CMQ040
SMC Diode Solutions

160CMQ040

частка акцыі: 2929

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
169CMQ150
SMC Diode Solutions

169CMQ150

частка акцыі: 2925

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
169CMQ135
SMC Diode Solutions

169CMQ135

частка акцыі: 2892

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
163CMQ100
SMC Diode Solutions

163CMQ100

частка акцыі: 2627

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.

1PS66SB82,115

частка акцыі: 141995

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.

1PS88SB48,115

частка акцыі: 185243

Канфігурацыя дыёда: 2 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS374(TE85L,F)

частка акцыі: 104

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS398TE85LF

частка акцыі: 103828

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS383(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS383(TE85L,F)

частка акцыі: 189087

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS309(TE85L,F)

частка акцыі: 132008

Канфігурацыя дыёда: 4 Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS384TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS384TE85LF

частка акцыі: 156547

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS308(TE85L,F

частка акцыі: 130

Канфігурацыя дыёда: 4 Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS392,LF

частка акцыі: 145638

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS402TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS402TE85LF

частка акцыі: 78

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS382TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS382TE85LF

частка акцыі: 149

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS226,LF

частка акцыі: 116

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS362TE85LF

частка акцыі: 187

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS378(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS378(TE85L,F)

частка акцыі: 135022

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301,LF

частка акцыі: 167193

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS423(TE85L,F)

частка акцыі: 199611

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS300,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS300,LF

частка акцыі: 105400

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS393,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS393,LF

частка акцыі: 187666

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1SS181-TP
Micro Commercial Co

1SS181-TP

частка акцыі: 178386

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS184-TP
Micro Commercial Co

1SS184-TP

частка акцыі: 183265

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS226-TP
Micro Commercial Co

1SS226-TP

частка акцыі: 165282

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні