Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

12CWQ10FN

частка акцыі: 3616

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ10FNTRR

частка акцыі: 3607

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ03FN

частка акцыі: 3531

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

10CTQ150S

частка акцыі: 3531

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

10CTQ150

частка акцыі: 3546

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

NXP USA Inc.

1PS181,135

частка акцыі: 4449

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

NXP USA Inc.

1PS75SB45,135

частка акцыі: 3521

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

NXP USA Inc.

1PS75SB45,115

частка акцыі: 4378

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

Diodes Incorporated

1SS361UDJ-7

частка акцыі: 21578

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.23V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ04FNTR

частка акцыі: 21560

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ03FNTR

частка акцыі: 157701

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ06FNTR

частка акцыі: 37703

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

12CWQ10FNTR

частка акцыі: 142775

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

1PS302,115

частка акцыі: 104644

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 170mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS88SB82,165

частка акцыі: 101774

Канфігурацыя дыёда: 3 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB84,115

частка акцыі: 166507

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB85,115

частка акцыі: 176149

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB86,115

частка акцыі: 125904

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 30mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB46,115

частка акцыі: 154814

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB45,115

частка акцыі: 182048

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB44,115

частка акцыі: 138645

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 40mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS70SB15,115

частка акцыі: 162786

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1PS301,115

частка акцыі: 199980

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

1PS300,115

частка акцыі: 174502

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 170mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

1SS362FV,L3F

частка акцыі: 148546

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302A,LF

частка акцыі: 178303

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS181,LF

частка акцыі: 133759

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

2950064

частка акцыі: 1289

Канфігурацыя дыёда: 7 Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

2950129

частка акцыі: 951

Канфігурацыя дыёда: 14 Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

2950103

частка акцыі: 994

Канфігурацыя дыёда: 8 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

2952211

частка акцыі: 1368

Канфігурацыя дыёда: 14 Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

2954785

частка акцыі: 394

Канфігурацыя дыёда: 16 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні

2950132

частка акцыі: 690

Канфігурацыя дыёда: 7 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 700mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

2954895

частка акцыі: 442

Канфігурацыя дыёда: 17 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні