Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045STRL

частка акцыі: 3649

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRR

частка акцыі: 3664

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRL

частка акцыі: 3607

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ10FNTRL

частка акцыі: 3683

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRR

частка акцыі: 4421

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRL

частка акцыі: 3664

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ04FNTRL

частка акцыі: 3689

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRR

частка акцыі: 3644

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRL

частка акцыі: 3651

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRR

частка акцыі: 3675

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRR

частка акцыі: 3611

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRL

частка акцыі: 3629

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRR

частка акцыі: 4365

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRL

частка акцыі: 3601

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150-1

частка акцыі: 4419

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRL

частка акцыі: 3648

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 930mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

162CNQ030

частка акцыі: 3672

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

162CMQ030

частка акцыі: 3621

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 160A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

161CNQ045

частка акцыі: 3624

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045

частка акцыі: 4399

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035

частка акцыі: 3651

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045

частка акцыі: 3636

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ040

частка акцыі: 3605

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035

частка акцыі: 3647

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

153CNQ100

частка акцыі: 3612

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.19V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ045

частка акцыі: 3677

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

153CMQ080

частка акцыі: 4389

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.19V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ040

частка акцыі: 3606

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ045

частка акцыі: 3636

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 870mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ035

частка акцыі: 3650

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 870mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ040

частка акцыі: 3604

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 870mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045S

частка акцыі: 3589

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080S

частка акцыі: 3608

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035S

частка акцыі: 3620

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045S

частка акцыі: 3627

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035S

частка акцыі: 4408

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

3600

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»