Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

20CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045STRR

частка акцыі: 3688

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045STRL

частка акцыі: 3648

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035STRR

частка акцыі: 3641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035STRL

частка акцыі: 3664

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

203CNQ100R

частка акцыі: 3644

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ030TR

частка акцыі: 3695

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
203DNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

203DNQ100

частка акцыі: 3655

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

203DMQ100

частка акцыі: 3658

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.03V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
25CTQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035

частка акцыі: 3643

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ040

частка акцыі: 3684

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ100

частка акцыі: 3649

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ060

частка акцыі: 3670

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 590mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
25CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035S

частка акцыі: 3597

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
25CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ045S

частка акцыі: 3611

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045S

частка акцыі: 3648

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035S

частка акцыі: 4376

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ045TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ045TR

частка акцыі: 3627

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ030

частка акцыі: 3604

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045

частка акцыі: 3540

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ045

частка акцыі: 3560

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPQ030

частка акцыі: 36834

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
20CJQ100TR
SMC Diode Solutions

20CJQ100TR

частка акцыі: 32272

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
300CMQ040
SMC Diode Solutions

300CMQ040

частка акцыі: 1217

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
301CNQ045
SMC Diode Solutions

301CNQ045

частка акцыі: 131

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 690mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
309CMQ135
SMC Diode Solutions

309CMQ135

частка акцыі: 1215

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.03V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
301CNQ050
SMC Diode Solutions

301CNQ050

частка акцыі: 1267

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 690mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
300CNQ040
SMC Diode Solutions

300CNQ040

частка акцыі: 1244

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30CTQ060STR
SMC Diode Solutions

30CTQ060STR

частка акцыі: 127434

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
309CMQ150
SMC Diode Solutions

309CMQ150

частка акцыі: 1221

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.03V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
303CNQ080
SMC Diode Solutions

303CNQ080

частка акцыі: 1180

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
300CNQ045
SMC Diode Solutions

300CNQ045

частка акцыі: 1227

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30CTQ050
SMC Diode Solutions

30CTQ050

частка акцыі: 107504

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
30CTQ035STR
SMC Diode Solutions

30CTQ035STR

частка акцыі: 141864

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
300CMQ045
SMC Diode Solutions

300CMQ045

частка акцыі: 1211

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
309CNQ150
SMC Diode Solutions

309CNQ150

частка акцыі: 1223

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.03V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
303CMQ080
SMC Diode Solutions

303CMQ080

частка акцыі: 1221

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні