Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

частка акцыі: 4404

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

частка акцыі: 4331

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

частка акцыі: 4446

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

частка акцыі: 4337

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

частка акцыі: 4473

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 215mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

частка акцыі: 4330

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

частка акцыі: 4334

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

частка акцыі: 4245

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

частка акцыі: 4112

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

частка акцыі: 4169

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

частка акцыі: 162072

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

частка акцыі: 4015

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

частка акцыі: 4137

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

частка акцыі: 3721

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

частка акцыі: 3649

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

частка акцыі: 3669

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

частка акцыі: 3644

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

частка акцыі: 3638

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

частка акцыі: 3688

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

частка акцыі: 3674

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

частка акцыі: 4418

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

частка акцыі: 3691

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

частка акцыі: 3663

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

частка акцыі: 3629

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

частка акцыі: 3678

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

частка акцыі: 3654

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

частка акцыі: 3703

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

частка акцыі: 3655

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

частка акцыі: 3673

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

частка акцыі: 3657

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

частка акцыі: 3692

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 55A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

частка акцыі: 3680

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

частка акцыі: 3603

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

частка акцыі: 3660

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

частка акцыі: 3603

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

частка акцыі: 3691

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні