Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXGF25N300
IXYS

IXGF25N300

частка акцыі: 1850

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 27A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.5V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 114W,

Пажаданні
IXYX100N65B3D1
IXYS

IXYX100N65B3D1

частка акцыі: 4863

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 460A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXYX50N170C
IXYS

IXYX50N170C

частка акцыі: 3948

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 178A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 460A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 1500W,

Пажаданні
IXGP20N120A3
IXYS

IXGP20N120A3

частка акцыі: 13793

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 180W,

Пажаданні
IXGH48N60C3C1
IXYS

IXGH48N60C3C1

частка акцыі: 1566

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGF36N300
IXYS

IXGF36N300

частка акцыі: 1523

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 400A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IXGK320N60A3
IXYS

IXGK320N60A3

частка акцыі: 4463

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 320A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 700A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1000W,

Пажаданні
IXGH30N60C3C1
IXYS

IXGH30N60C3C1

частка акцыі: 2839

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 220W,

Пажаданні
IXYX30N170CV1
IXYS

IXYX30N170CV1

частка акцыі: 3485

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 108A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 255A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 937W,

Пажаданні
IXBK75N170
IXYS

IXBK75N170

частка акцыі: 1421

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 580A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 1040W,

Пажаданні
IXGH48N60B3
IXYS

IXGH48N60B3

частка акцыі: 15024

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics

STGW80H65DFB-4

частка акцыі: 8324

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
STGW40NC60W
STMicroelectronics

STGW40NC60W

частка акцыі: 11402

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 230A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
STGB20M65DF2
STMicroelectronics

STGB20M65DF2

частка акцыі: 56662

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 166W,

Пажаданні
STGP19NC60H
STMicroelectronics

STGP19NC60H

частка акцыі: 12876

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 130W,

Пажаданні
STGWA40N120KD
STMicroelectronics

STGWA40N120KD

частка акцыі: 8919

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 240W,

Пажаданні
STGW50HF60SD
STMicroelectronics

STGW50HF60SD

частка акцыі: 10889

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 284W,

Пажаданні
STGW15H120F2
STMicroelectronics

STGW15H120F2

частка акцыі: 11770

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGF15H60DF
STMicroelectronics

STGF15H60DF

частка акцыі: 31930

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

частка акцыі: 867

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 405W,

Пажаданні
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

частка акцыі: 18823

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 385W,

Пажаданні
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

частка акцыі: 19793

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 480W,

Пажаданні
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

частка акцыі: 28232

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Пажаданні
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

частка акцыі: 44197

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Пажаданні
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

частка акцыі: 292

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

частка акцыі: 1512

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

частка акцыі: 25775

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Пажаданні
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

частка акцыі: 6189

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 595W,

Пажаданні
IGB30N60TATMA1
Infineon Technologies

IGB30N60TATMA1

частка акцыі: 48160

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 187W,

Пажаданні
IKQ50N120CT2XKSA1
Infineon Technologies

IKQ50N120CT2XKSA1

частка акцыі: 8425

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 652W,

Пажаданні
IGW08T120FKSA1
Infineon Technologies

IGW08T120FKSA1

частка акцыі: 39270

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 70W,

Пажаданні
IRGS30B60KTRRP
Infineon Technologies

IRGS30B60KTRRP

частка акцыі: 32030

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 370W,

Пажаданні
IKB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies

IKB20N60H3ATMA1

частка акцыі: 48636

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 170W,

Пажаданні
IHW20N120R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW20N120R3FKSA1

частка акцыі: 19197

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 310W,

Пажаданні
IKW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW75N60H3FKSA1

частка акцыі: 9369

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 428W,

Пажаданні
RJH1CV7DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH1CV7DPK-00#T0

частка акцыі: 10155

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 320W,

Пажаданні