Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

STGWA30H65DFB
STMicroelectronics

STGWA30H65DFB

частка акцыі: 287

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGW50NC60W
STMicroelectronics

STGW50NC60W

частка акцыі: 10191

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 285W,

Пажаданні
STGW20H60DF
STMicroelectronics

STGW20H60DF

частка акцыі: 23785

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGW60H60DLFB
STMicroelectronics

STGW60H60DLFB

частка акцыі: 13953

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGW10M65DF2
STMicroelectronics

STGW10M65DF2

частка акцыі: 39390

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
STGWA40H65DFB
STMicroelectronics

STGWA40H65DFB

частка акцыі: 27428

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGW30H60DLFB
STMicroelectronics

STGW30H60DLFB

частка акцыі: 21640

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGWT30H65FB
STMicroelectronics

STGWT30H65FB

частка акцыі: 20096

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
RGT80TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

частка акцыі: 17933

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 234W,

Пажаданні
IXBX25N250
IXYS

IXBX25N250

частка акцыі: 2004

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXDA20N120AS
IXYS

IXDA20N120AS

частка акцыі: 17707

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 38A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH12N120A3
IXYS

IXGH12N120A3

частка акцыі: 21311

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXYX100N120B3
IXYS

IXYX100N120B3

частка акцыі: 5293

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 225A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 530A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1150W,

Пажаданні
IXGH25N250
IXYS

IXGH25N250

частка акцыі: 1975

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXXH75N60C3D1
IXYS

IXXH75N60C3D1

частка акцыі: 7523

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
IXXX110N65B4H1
IXYS

IXXX110N65B4H1

частка акцыі: 6107

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 630A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Магутнасць - Макс: 880W,

Пажаданні
IXGX120N120A3
IXYS

IXGX120N120A3

частка акцыі: 2905

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXXQ30N60B3M
IXYS

IXXQ30N60B3M

частка акцыі: 236

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 90W,

Пажаданні
IXGP28N60A3
IXYS

IXGP28N60A3

частка акцыі: 219

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 170A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXGH50N90B2
IXYS

IXGH50N90B2

частка акцыі: 11772

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 400W,

Пажаданні
IXBX64N250
IXYS

IXBX64N250

частка акцыі: 659

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 156A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Магутнасць - Макс: 735W,

Пажаданні
IXXH50N60C3
IXYS

IXXH50N60C3

частка акцыі: 9959

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 600W,

Пажаданні
IKZ50N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ50N65ES5XKSA1

частка акцыі: 18003

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 274W,

Пажаданні
IKW25N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW25N120H3FKSA1

частка акцыі: 11310

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 326W,

Пажаданні
IRGP50B60PD1PBF
Infineon Technologies

IRGP50B60PD1PBF

частка акцыі: 10923

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 390W,

Пажаданні
IGW30N65L5XKSA1
Infineon Technologies

IGW30N65L5XKSA1

частка акцыі: 16888

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 227W,

Пажаданні
IKB15N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB15N60TATMA1

частка акцыі: 59657

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 130W,

Пажаданні
IKW30N65WR5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65WR5XKSA1

частка акцыі: 20462

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 185W,

Пажаданні
SGP07N120XKSA1
Infineon Technologies

SGP07N120XKSA1

частка акцыі: 24250

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 27A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IGW50N60TPXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N60TPXKSA1

частка акцыі: 16179

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 319.2W,

Пажаданні
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

частка акцыі: 15836

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 216A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

частка акцыі: 20044

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 384W,

Пажаданні
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

частка акцыі: 19849

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Пажаданні
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

частка акцыі: 32584

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

частка акцыі: 20124

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 319W,

Пажаданні
RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America

RJP65T43DPQ-A0#T2

частка акцыі: 17395

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні