Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IKB30N65EH5ATMA1
Infineon Technologies

IKB30N65EH5ATMA1

частка акцыі: 344

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 188W,

Пажаданні
IKA10N65ET6XKSA2
Infineon Technologies

IKA10N65ET6XKSA2

частка акцыі: 2474

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 42.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A, Магутнасць - Макс: 40W,

Пажаданні
IKD15N60RATMA1
Infineon Technologies

IKD15N60RATMA1

частка акцыі: 75274

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRGP4063DPBF
Infineon Technologies

IRGP4063DPBF

частка акцыі: 9183

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 144A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.14V @ 15V, 48A, Магутнасць - Макс: 330W,

Пажаданні
IKP08N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKP08N65H5XKSA1

частка акцыі: 36844

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 70W,

Пажаданні
IRG4BC40W-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC40W-SPBF

частка акцыі: 20519

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IXBH12N300
IXYS

IXBH12N300

частка акцыі: 2797

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IXGR24N120C3D1
IXYS

IXGR24N120C3D1

частка акцыі: 8206

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXBT6N170
IXYS

IXBT6N170

частка акцыі: 9049

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 36A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXXK200N60C3
IXYS

IXXK200N60C3

частка акцыі: 3830

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 340A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 900A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1630W,

Пажаданні
IXGH72N60C3
IXYS

IXGH72N60C3

частка акцыі: 9941

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 540W,

Пажаданні
IXGP30N120B3
IXYS

IXGP30N120B3

частка акцыі: 10610

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGT32N170
IXYS

IXGT32N170

частка акцыі: 3523

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IXYA8N250CHV
IXYS

IXYA8N250CHV

частка акцыі: 199

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 29A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 280W,

Пажаданні
IXXK300N60B3
IXYS

IXXK300N60B3

частка акцыі: 3200

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 550A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 2300W,

Пажаданні
IXDP20N60B
IXYS

IXDP20N60B

частка акцыі: 19416

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXGH36N60B3
IXYS

IXGH36N60B3

частка акцыі: 18818

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 92A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGH64N60A3
IXYS

IXGH64N60A3

частка акцыі: 12113

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 400A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 460W,

Пажаданні
RGTV00TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

частка акцыі: 2921

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 276W,

Пажаданні
RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

частка акцыі: 2956

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 72W,

Пажаданні
NGD8209NT4G
Littelfuse Inc.

NGD8209NT4G

частка акцыі: 138379

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 445V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4.5V, 10A, Магутнасць - Макс: 94W,

Пажаданні
STGWT40H65FB
STMicroelectronics

STGWT40H65FB

частка акцыі: 17282

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGWT60H60DLFB
STMicroelectronics

STGWT60H60DLFB

частка акцыі: 13164

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGW60H65DFB-4
STMicroelectronics

STGW60H65DFB-4

частка акцыі: 242

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGP30V60DF
STMicroelectronics

STGP30V60DF

частка акцыі: 24255

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGFL6NC60D
STMicroelectronics

STGFL6NC60D

частка акцыі: 42391

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 22W,

Пажаданні
STGFW20V60F
STMicroelectronics

STGFW20V60F

частка акцыі: 22952

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 52W,

Пажаданні
STGWA80H65DFB
STMicroelectronics

STGWA80H65DFB

частка акцыі: 15028

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
STGW20NC60VD
STMicroelectronics

STGW20NC60VD

частка акцыі: 18124

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
ISL9V5045S3ST
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

частка акцыі: 36869

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 480V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
FGH40T65UQDF-F155
ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

частка акцыі: 2159

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 231W,

Пажаданні
FGB3440G2-F085
ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

частка акцыі: 4330

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26.9A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166W,

Пажаданні
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

частка акцыі: 14369

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
FGH40N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

частка акцыі: 2934

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
RJH60D7ADPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60D7ADPK-00#T0

частка акцыі: 11430

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
RJH60D7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D7DPQ-E0#T2

частка акцыі: 10922

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні