Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

STGW75M65DF2
STMicroelectronics

STGW75M65DF2

частка акцыі: 12674

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 468W,

Пажаданні
STGW30V60DF
STMicroelectronics

STGW30V60DF

частка акцыі: 21773

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGWA40H65FB
STMicroelectronics

STGWA40H65FB

частка акцыі: 262

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGWA15H120F2
STMicroelectronics

STGWA15H120F2

частка акцыі: 10623

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGB7H60DF
STMicroelectronics

STGB7H60DF

частка акцыі: 87528

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 28A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
STGWT60H65DFB
STMicroelectronics

STGWT60H65DFB

частка акцыі: 13243

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGWA25M120DF3
STMicroelectronics

STGWA25M120DF3

частка акцыі: 7408

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGF20M65DF2
STMicroelectronics

STGF20M65DF2

частка акцыі: 28138

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 32.6W,

Пажаданні
STGW30M65DF2
STMicroelectronics

STGW30M65DF2

частка акцыі: 19531

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGW20NC60V
STMicroelectronics

STGW20NC60V

частка акцыі: 14018

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGY50NC60WD
STMicroelectronics

STGY50NC60WD

частка акцыі: 5326

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 278W,

Пажаданні
IXYH24N170CV1
IXYS

IXYH24N170CV1

частка акцыі: 5397

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXYH50N120C3D1
IXYS

IXYH50N120C3D1

частка акцыі: 8464

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 210A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Пажаданні
IXYH40N120B3
IXYS

IXYH40N120B3

частка акцыі: 7113

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 577W,

Пажаданні
IXGT32N120A3
IXYS

IXGT32N120A3

частка акцыі: 8410

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 230A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXYX200N65B3
IXYS

IXYX200N65B3

частка акцыі: 175

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 410A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1560W,

Пажаданні
IXGA48N60B3
IXYS

IXGA48N60B3

частка акцыі: 14979

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXBF12N300
IXYS

IXBF12N300

частка акцыі: 1754

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 98A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IXGX120N60B3
IXYS

IXGX120N60B3

частка акцыі: 5537

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 780W,

Пажаданні
IXXH40N65B4D1
IXYS

IXXH40N65B4D1

частка акцыі: 165

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 115A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
IXBH24N170
IXYS

IXBH24N170

частка акцыі: 3700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 230A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
RJH1CV6DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH1CV6DPK-00#T0

частка акцыі: 11503

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
FGM623S
Sanken

FGM623S

частка акцыі: 25108

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRG4PH20KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH20KDPBF

частка акцыі: 15331

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 22A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRGP4068D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4068D-EPBF

частка акцыі: 10565

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 144A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.14V @ 15V, 48A, Магутнасць - Макс: 330W,

Пажаданні
IKA10N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKA10N60TXKSA1

частка акцыі: 32584

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11.7A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
IKP15N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKP15N65H5XKSA1

частка акцыі: 29158

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 105W,

Пажаданні
IKW25T120FKSA1
Infineon Technologies

IKW25T120FKSA1

частка акцыі: 10463

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IRG4BC30FDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30FDPBF

частка акцыі: 22759

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 124A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

частка акцыі: 11394

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

частка акцыі: 16438

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 298W,

Пажаданні
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

частка акцыі: 14704

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 394W,

Пажаданні
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

частка акцыі: 63148

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Пажаданні
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

частка акцыі: 2946

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

частка акцыі: 2948

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
RGT40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

частка акцыі: 25308

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Пажаданні