Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IGW30N60TFKSA1
Infineon Technologies

IGW30N60TFKSA1

частка акцыі: 73

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 187W,

Пажаданні
IRG4PSH71KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71KDPBF

частка акцыі: 5770

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 156A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IKW08T120FKSA1
Infineon Technologies

IKW08T120FKSA1

частка акцыі: 24496

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 70W,

Пажаданні
IGC70T120T8RL
Infineon Technologies

IGC70T120T8RL

частка акцыі: 81

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 75A,

Пажаданні
IRG8CH76K10F
Infineon Technologies

IRG8CH76K10F

частка акцыі: 6238

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Пажаданні
IRG7PH50UPBF
Infineon Technologies

IRG7PH50UPBF

частка акцыі: 5900

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 556W,

Пажаданні
IGC07T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC07T120T8LX1SA2

частка акцыі: 101

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.02V @ 15V, 4A,

Пажаданні
IRGC4062B
Infineon Technologies

IRGC4062B

частка акцыі: 15052

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A,

Пажаданні
IGC18T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC18T120T8LX1SA2

частка акцыі: 132

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A,

Пажаданні
IRGC4059B
Infineon Technologies

IRGC4059B

частка акцыі: 44683

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A,

Пажаданні
IGC50T120T8RQX1SA1
Infineon Technologies

IGC50T120T8RQX1SA1

частка акцыі: 131

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 50A,

Пажаданні
IRG7CH30K10EF
Infineon Technologies

IRG7CH30K10EF

частка акцыі: 24252

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.56V @ 15V, 10A,

Пажаданні
IRGC4064B
Infineon Technologies

IRGC4064B

частка акцыі: 27318

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A,

Пажаданні
STGPL6NC60DI
STMicroelectronics

STGPL6NC60DI

частка акцыі: 84926

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 56W,

Пажаданні
STGW40NC60WD
STMicroelectronics

STGW40NC60WD

частка акцыі: 15942

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 230A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
STGB20N45LZAG
STMicroelectronics

STGB20N45LZAG

частка акцыі: 198

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
STGB25N40LZAG
STMicroelectronics

STGB25N40LZAG

частка акцыі: 153

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 435V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
STGB20N40LZ
STMicroelectronics

STGB20N40LZ

частка акцыі: 60129

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
STGW35HF60WD
STMicroelectronics

STGW35HF60WD

частка акцыі: 17970

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGW30NC120HD
STMicroelectronics

STGW30NC120HD

частка акцыі: 20257

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 220W,

Пажаданні
STGW30H60DFB
STMicroelectronics

STGW30H60DFB

частка акцыі: 19929

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGPL6NC60D
STMicroelectronics

STGPL6NC60D

частка акцыі: 86441

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 56W,

Пажаданні
STGW80V60DF
STMicroelectronics

STGW80V60DF

частка акцыі: 10311

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
STGP3HF60HD
STMicroelectronics

STGP3HF60HD

частка акцыі: 193837

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 7.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
STGW30NC60VD
STMicroelectronics

STGW30NC60VD

частка акцыі: 27195

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
STGB8NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB8NC60KDT4

частка акцыі: 116244

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 65W,

Пажаданні
IXBK75N170A
IXYS

IXBK75N170A

частка акцыі: 1613

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 1040W,

Пажаданні
IXGL75N250
IXYS

IXGL75N250

частка акцыі: 852

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 580A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 430W,

Пажаданні
IXBT32N300HV
IXYS

IXBT32N300HV

частка акцыі: 1825

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 400W,

Пажаданні
MGD623S
Sanken

MGD623S

частка акцыі: 29104

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
RJH60D7DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60D7DPK-00#T0

частка акцыі: 11820

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
RJH60F6BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America

RJH60F6BDPQ-A0#T0

частка акцыі: 12320

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 297.6W,

Пажаданні
RJH60F6DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F6DPK-00#T0

частка акцыі: 10028

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 297.6W,

Пажаданні
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

частка акцыі: 12151

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

частка акцыі: 20638

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Пажаданні
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

частка акцыі: 164

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 76W,

Пажаданні