Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IRG8CH137K10F
Infineon Technologies

IRG8CH137K10F

частка акцыі: 3631

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A,

Пажаданні
IGC27T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC27T120T8LX1SA2

частка акцыі: 116

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A,

Пажаданні
IRG8CH97K10F
Infineon Technologies

IRG8CH97K10F

частка акцыі: 4862

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

Пажаданні
IGC18T120T8QX1SA1
Infineon Technologies

IGC18T120T8QX1SA1

частка акцыі: 154

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A,

Пажаданні
IRG8CH50K10F
Infineon Technologies

IRG8CH50K10F

частка акцыі: 8584

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A,

Пажаданні
IGC36T120T8LX1SA1
Infineon Technologies

IGC36T120T8LX1SA1

частка акцыі: 99

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 35A,

Пажаданні
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65ES5XKSA1

частка акцыі: 14683

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 79A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 230W,

Пажаданні
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D5BDPQ-E0#T2

частка акцыі: 13989

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F0DPK-00#T0

частка акцыі: 18399

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 201.6W,

Пажаданні
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP60D0DPK-00#T0

частка акцыі: 22130

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXGH4N250C
IXYS

IXGH4N250C

частка акцыі: 4672

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 46A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXYL40N250CV1
IXYS

IXYL40N250CV1

частка акцыі: 1018

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 400A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 577W,

Пажаданні
IXYA8N90C3D1
IXYS

IXYA8N90C3D1

частка акцыі: 20138

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IXGH28N120BD1
IXYS

IXGH28N120BD1

частка акцыі: 5867

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGX75N250
IXYS

IXGX75N250

частка акцыі: 965

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 530A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Магутнасць - Макс: 780W,

Пажаданні
IXBL64N250
IXYS

IXBL64N250

частка акцыі: 1346

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 116A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 750A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXYX25N250CV1HV
IXYS

IXYX25N250CV1HV

частка акцыі: 1951

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 235A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 937W,

Пажаданні
IXGH48N60C3
IXYS

IXGH48N60C3

частка акцыі: 12225

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
STGP14NC60KD
STMicroelectronics

STGP14NC60KD

частка акцыі: 45549

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 80W,

Пажаданні
STGWT80V60DF
STMicroelectronics

STGWT80V60DF

частка акцыі: 8451

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

частка акцыі: 9828

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
STGWF30NC60S
STMicroelectronics

STGWF30NC60S

частка акцыі: 19536

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 79W,

Пажаданні
STGFW30V60DF
STMicroelectronics

STGFW30V60DF

частка акцыі: 17582

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 58W,

Пажаданні
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

частка акцыі: 53513

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KDT4

частка акцыі: 27116

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
STGF20NB60S
STMicroelectronics

STGF20NB60S

частка акцыі: 24023

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 40W,

Пажаданні
STGW35NB60SD
STMicroelectronics

STGW35NB60SD

частка акцыі: 12594

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

частка акцыі: 81563

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 420V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

частка акцыі: 43676

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Пажаданні
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

частка акцыі: 13542

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 312W,

Пажаданні
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

частка акцыі: 7369

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 480W,

Пажаданні
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

частка акцыі: 25319

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Пажаданні
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

частка акцыі: 14392

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 277W,

Пажаданні
RGPR30NS40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

частка акцыі: 77

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

частка акцыі: 110

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 72W,

Пажаданні
MGD623N
Sanken

MGD623N

частка акцыі: 30626

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні