Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXYP50N65C3
IXYS

IXYP50N65C3

частка акцыі: 10758

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 600W,

Пажаданні
IXGH120N30B3
IXYS

IXGH120N30B3

частка акцыі: 12088

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 480A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A, Магутнасць - Макс: 540W,

Пажаданні
IXGH48N60A3
IXYS

IXGH48N60A3

частка акцыі: 14637

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXYH100N65A3
IXYS

IXYH100N65A3

частка акцыі: 196

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 480A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 470W,

Пажаданні
IXGF20N250
IXYS

IXGF20N250

частка акцыі: 2052

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXDH20N120
IXYS

IXDH20N120

частка акцыі: 10873

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 38A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGT32N170A
IXYS

IXGT32N170A

частка акцыі: 4029

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IXGK400N30B3
IXYS

IXGK400N30B3

частка акцыі: 4517

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A,

Пажаданні
IXDH35N60B
IXYS

IXDH35N60B

частка акцыі: 11658

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXXH50N60B3
IXYS

IXXH50N60B3

частка акцыі: 10008

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 600W,

Пажаданні
IXDR30N120
IXYS

IXDR30N120

частка акцыі: 7077

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH17N100
IXYS

IXGH17N100

частка акцыі: 8133

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 68A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXBH32N300
IXYS

IXBH32N300

частка акцыі: 1748

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 400W,

Пажаданні
STGB30V60F
STMicroelectronics

STGB30V60F

частка акцыі: 48382

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGP7H60DF
STMicroelectronics

STGP7H60DF

частка акцыі: 44131

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 28A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
STGWA15H120DF2
STMicroelectronics

STGWA15H120DF2

частка акцыі: 10561

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGB20V60F
STMicroelectronics

STGB20V60F

частка акцыі: 43379

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGW60H65DF
STMicroelectronics

STGW60H65DF

частка акцыі: 7827

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 360W,

Пажаданні
STGWT60H65FB
STMicroelectronics

STGWT60H65FB

частка акцыі: 13226

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGW40H60DLFB
STMicroelectronics

STGW40H60DLFB

частка акцыі: 18265

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGF7NC60HD
STMicroelectronics

STGF7NC60HD

частка акцыі: 44663

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 25W,

Пажаданні
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

частка акцыі: 22935

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 378W,

Пажаданні
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

частка акцыі: 256

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

частка акцыі: 62700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 54W,

Пажаданні
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

частка акцыі: 37370

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Пажаданні
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

частка акцыі: 18097

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 366W,

Пажаданні
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

частка акцыі: 2512

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
IKW15N120T2FKSA1
Infineon Technologies

IKW15N120T2FKSA1

частка акцыі: 13910

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 235W,

Пажаданні
IHW40N60RFFKSA1
Infineon Technologies

IHW40N60RFFKSA1

частка акцыі: 2409

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 305W,

Пажаданні
IKZ75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ75N65ES5XKSA1

частка акцыі: 12787

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 395W,

Пажаданні
IGW75N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGW75N65H5XKSA1

частка акцыі: 14720

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 395W,

Пажаданні
IKB06N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB06N60TATMA1

частка акцыі: 76778

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
IKW40N60DTPXKSA1
Infineon Technologies

IKW40N60DTPXKSA1

частка акцыі: 16131

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 246W,

Пажаданні
IRGP4650DPBF
Infineon Technologies

IRGP4650DPBF

частка акцыі: 10313

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 76A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
NGD8205ANT4G
Littelfuse Inc.

NGD8205ANT4G

частка акцыі: 93968

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
RGTH80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

частка акцыі: 1596

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 234W,

Пажаданні