Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IGB30N60H3ATMA1
Infineon Technologies

IGB30N60H3ATMA1

частка акцыі: 50561

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 187W,

Пажаданні
IHW20N65R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW20N65R5XKSA1

частка акцыі: 22265

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IKD06N60RATMA1
Infineon Technologies

IKD06N60RATMA1

частка акцыі: 126290

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IKP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies

IKP20N60H3XKSA1

частка акцыі: 356

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 170W,

Пажаданні
IRG4PC50FPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50FPBF

частка акцыі: 11920

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IKW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65F5FKSA1

частка акцыі: 17251

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 74A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 255W,

Пажаданні
IKW50N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW50N60H3FKSA1

частка акцыі: 12383

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
IXBX75N170A
IXYS

IXBX75N170A

частка акцыі: 1608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 1040W,

Пажаданні
IXGT10N170A
IXYS

IXGT10N170A

частка акцыі: 10729

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXYH40N65B3D1
IXYS

IXYH40N65B3D1

частка акцыі: 192

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 86A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 195A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXYH82N120C3
IXYS

IXYH82N120C3

частка акцыі: 4777

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 380A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A, Магутнасць - Макс: 1250W,

Пажаданні
IXBT20N360HV
IXYS

IXBT20N360HV

частка акцыі: 1811

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 430W,

Пажаданні
IXGX400N30A3
IXYS

IXGX400N30A3

частка акцыі: 4549

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 400A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1000W,

Пажаданні
IXLF19N250A
IXYS

IXLF19N250A

частка акцыі: 1827

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGH24N120C3
IXYS

IXGH24N120C3

частка акцыі: 13062

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGH60N60C3D1
IXYS

IXGH60N60C3D1

частка акцыі: 10447

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 380W,

Пажаданні
IXBH10N170
IXYS

IXBH10N170

частка акцыі: 8566

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXBT16N170A
IXYS

IXBT16N170A

частка акцыі: 5088

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
STGP40V60F
STMicroelectronics

STGP40V60F

частка акцыі: 25437

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGW15H120DF2
STMicroelectronics

STGW15H120DF2

частка акцыі: 11730

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGB30V60DF
STMicroelectronics

STGB30V60DF

частка акцыі: 36583

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGF10H60DF
STMicroelectronics

STGF10H60DF

частка акцыі: 85738

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
STGWA40M120DF3
STMicroelectronics

STGWA40M120DF3

частка акцыі: 6517

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 468W,

Пажаданні
STGP15H60DF
STMicroelectronics

STGP15H60DF

частка акцыі: 69818

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
STGW60H65F
STMicroelectronics

STGW60H65F

частка акцыі: 8585

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 360W,

Пажаданні
STGF3NC120HD
STMicroelectronics

STGF3NC120HD

частка акцыі: 41161

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 25W,

Пажаданні
STGF5H60DF
STMicroelectronics

STGF5H60DF

частка акцыі: 52755

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 24W,

Пажаданні
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

частка акцыі: 18136

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 306W,

Пажаданні
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

частка акцыі: 2672

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 428W,

Пажаданні
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

частка акцыі: 13786

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

частка акцыі: 26339

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 272W,

Пажаданні
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

частка акцыі: 1477

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 312W,

Пажаданні
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

частка акцыі: 18543

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 394W,

Пажаданні
RGTH00TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

частка акцыі: 17733

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 277W,

Пажаданні
RGTH50TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

частка акцыі: 23036

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 174W,

Пажаданні
RGTV00TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

частка акцыі: 2933

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 94W,

Пажаданні