Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXGH48N60A3D1
IXYS

IXGH48N60A3D1

частка акцыі: 11559

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXXA30N65C3HV
IXYS

IXXA30N65C3HV

частка акцыі: 232

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 52A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 113A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 230W,

Пажаданні
IXXA50N60B3
IXYS

IXXA50N60B3

частка акцыі: 174

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 600W,

Пажаданні
IXBH42N170
IXYS

IXBH42N170

частка акцыі: 3248

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 360W,

Пажаданні
IXGX120N60A3
IXYS

IXGX120N60A3

частка акцыі: 5559

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 780W,

Пажаданні
IXYH8N250CV1HV
IXYS

IXYH8N250CV1HV

частка акцыі: 4135

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 29A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 280W,

Пажаданні
IXGT32N170 TRL
IXYS

IXGT32N170 TRL

частка акцыі: 2627

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IXA17IF1200HJ
IXYS

IXA17IF1200HJ

частка акцыі: 10804

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGH48N60B3D1
IXYS

IXGH48N60B3D1

частка акцыі: 11495

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXXK100N60C3H1
IXYS

IXXK100N60C3H1

частка акцыі: 3320

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 340A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 695W,

Пажаданні
IXGK75N250
IXYS

IXGK75N250

частка акцыі: 850

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 530A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Магутнасць - Макс: 780W,

Пажаданні
IXGP24N120C3
IXYS

IXGP24N120C3

частка акцыі: 14251

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXYH30N170C
IXYS

IXYH30N170C

частка акцыі: 5010

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 108A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 255A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 937W,

Пажаданні
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

частка акцыі: 2908

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 33A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 76W,

Пажаданні
RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

частка акцыі: 2780

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Пажаданні
RGTH40TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

частка акцыі: 30024

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 144W,

Пажаданні
IKW50N60TFKSA1
Infineon Technologies

IKW50N60TFKSA1

частка акцыі: 2550

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
IHW50N65R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW50N65R5XKSA1

частка акцыі: 15500

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 282W,

Пажаданні
IKA08N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65F5XKSA1

частка акцыі: 36809

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10.8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 31.2W,

Пажаданні
IGW100N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW100N60H3FKSA1

частка акцыі: 13170

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 714W,

Пажаданні
STGP20H60DF
STMicroelectronics

STGP20H60DF

частка акцыі: 49626

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGW28IH125DF
STMicroelectronics

STGW28IH125DF

частка акцыі: 15137

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGP15M65DF2
STMicroelectronics

STGP15M65DF2

частка акцыі: 31166

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 136W,

Пажаданні
STGFW20V60DF
STMicroelectronics

STGFW20V60DF

частка акцыі: 21952

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 52W,

Пажаданні
STGFW40V60F
STMicroelectronics

STGFW40V60F

частка акцыі: 14237

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 62.5W,

Пажаданні
STGF35HF60W
STMicroelectronics

STGF35HF60W

частка акцыі: 26069

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 19A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 40W,

Пажаданні
STGB10M65DF2
STMicroelectronics

STGB10M65DF2

частка акцыі: 47457

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2AG

частка акцыі: 258

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Магутнасць - Макс: 625W,

Пажаданні
STGW20V60DF
STMicroelectronics

STGW20V60DF

частка акцыі: 23968

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

частка акцыі: 8702

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 156W,

Пажаданні
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

частка акцыі: 349

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 187W,

Пажаданні
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

частка акцыі: 19234

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

частка акцыі: 9959

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

частка акцыі: 305

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

частка акцыі: 31770

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Пажаданні
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

частка акцыі: 49912

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 88A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 54W,

Пажаданні