Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXGH6N170A
IXYS

IXGH6N170A

частка акцыі: 6372

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 14A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXXH60N65C4
IXYS

IXXH60N65C4

частка акцыі: 12936

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 118A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
IXYH40N65C3D1
IXYS

IXYH40N65C3D1

частка акцыі: 13007

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXYH75N65C3
IXYS

IXYH75N65C3

частка акцыі: 11666

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
IXXH50N60C3D1
IXYS

IXXH50N60C3D1

частка акцыі: 6304

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 600W,

Пажаданні
IXGN200N170
IXYS

IXGN200N170

частка акцыі: 214

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 280A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1050A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1250W,

Пажаданні
IXYT25N250CHV
IXYS

IXYT25N250CHV

частка акцыі: 2685

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 95A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 235A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 937W,

Пажаданні
IXBF20N300
IXYS

IXBF20N300

частка акцыі: 1744

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXBA14N300HV
IXYS

IXBA14N300HV

частка акцыі: 1777

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 38A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXYH75N65C3H1
IXYS

IXYH75N65C3H1

частка акцыі: 5604

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
IXGH36N60B3D4
IXYS

IXGH36N60B3D4

частка акцыі: 12892

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGA24N120C3
IXYS

IXGA24N120C3

частка акцыі: 13803

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGF25N250
IXYS

IXGF25N250

частка акцыі: 1634

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 114W,

Пажаданні
IXYT30N450HV
IXYS

IXYT30N450HV

частка акцыі: 209

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 4500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 430W,

Пажаданні
STGWA20M65DF2
STMicroelectronics

STGWA20M65DF2

частка акцыі: 42080

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 166W,

Пажаданні
STGB20V60DF
STMicroelectronics

STGB20V60DF

частка акцыі: 42990

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGWA35HF60WDI
STMicroelectronics

STGWA35HF60WDI

частка акцыі: 13208

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGB4M65DF2
STMicroelectronics

STGB4M65DF2

частка акцыі: 143059

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 16A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 68W,

Пажаданні
STGW35HF60W
STMicroelectronics

STGW35HF60W

частка акцыі: 23407

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGF7H60DF
STMicroelectronics

STGF7H60DF

частка акцыі: 41890

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 28A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 24W,

Пажаданні
FGA40T65SHD
ON Semiconductor

FGA40T65SHD

частка акцыі: 23321

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
FGH60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU

частка акцыі: 11490

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 298W,

Пажаданні
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

частка акцыі: 47036

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 117W,

Пажаданні
FGY160T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY160T65SPD-F085

частка акцыі: 4819

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 480A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Магутнасць - Макс: 882W,

Пажаданні
NGB8206ANT4G
Littelfuse Inc.

NGB8206ANT4G

частка акцыі: 88299

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IRG4BC30KDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30KDPBF

частка акцыі: 23033

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IGW40N65F5FKSA1
Infineon Technologies

IGW40N65F5FKSA1

частка акцыі: 20865

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 74A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 255W,

Пажаданні
IRGC4067B
Infineon Technologies

IRGC4067B

частка акцыі: 4500

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A,

Пажаданні
IRGIB6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGIB6B60KDPBF

частка акцыі: 24579

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 22A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IKA06N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKA06N60TXKSA1

частка акцыі: 74240

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 28W,

Пажаданні
IKQ40N120CH3XKSA1
Infineon Technologies

IKQ40N120CH3XKSA1

частка акцыі: 11100

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IHW30N110R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW30N110R3FKSA1

частка акцыі: 15615

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1100V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
IRGP4660D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4660D-EPBF

частка акцыі: 8173

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 144A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 48A, Магутнасць - Макс: 330W,

Пажаданні
RJP60F5DPK-01#T0
Renesas Electronics America

RJP60F5DPK-01#T0

частка акцыі: 18037

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 260.4W,

Пажаданні
RGTVX6TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

частка акцыі: 2967

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 144A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 320A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 404W,

Пажаданні
RGTH50TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

частка акцыі: 20954

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 174W,

Пажаданні