Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

Дом
Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GRH-TP6,F)

частка акцыі: 115313

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTPE

частка акцыі: 151727

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GR,SE

частка акцыі: 5750

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL,E

частка акцыі: 163619

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP281(GB-TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281(GB-TP,F)

частка акцыі: 5791

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP385(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GB-TR,E

частка акцыі: 5917

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP383(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(D4GB-TL,E

частка акцыі: 5886

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3906(TPR,E

частка акцыі: 116411

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 200µs, 300µs,

Ліст з жаданняў

TLP291(GRL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GRL-TP,SE

частка акцыі: 146803

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(TPL,E

частка акцыі: 5960

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 300µs, 1ms,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BL,E

частка акцыі: 5870

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2301(E

частка акцыі: 5921

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 1mA,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(TPR,E

частка акцыі: 2623

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(E

частка акцыі: 5818

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP385(GRL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPL,E

частка акцыі: 5891

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(TP,E)

частка акцыі: 5794

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7µs, 7µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 7µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(Y,E

частка акцыі: 5891

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GB,E

частка акцыі: 5850

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL,E

частка акцыі: 5736

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(TP,E

частка акцыі: 132157

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 900% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 8000% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 330ns, 2.5µs,

Ліст з жаданняў

TLP385(D4GR-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GR-TL,E

частка акцыі: 5915

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP785(D4GL-T6,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(D4GL-T6,F

частка акцыі: 5858

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP385(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-TPL,E

частка акцыі: 2617

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(E

частка акцыі: 82240

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 900% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 8000% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 330ns, 2.5µs,

Ліст з жаданняў

TLP388(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TR,E

частка акцыі: 2603

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(TP1,F)

частка акцыі: 132108

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624-4(F)

частка акцыі: 5787

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(BL,F)

частка акцыі: 5496

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP759(D4-TP1,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(D4-TP1,J,F)

частка акцыі: 5610

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 200ns, 300ns,

Ліст з жаданняў

TLP385(D4BLLTL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4BLLTL,E

частка акцыі: 5590

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP293(GRH-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GRH-TPL,E

частка акцыі: 195548

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB,F)

частка акцыі: 5676

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP290(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,E)

частка акцыі: 5572

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7µs, 7µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 7µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP590B(C,F)

частка акцыі: 33240

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 200µs, 1ms,

Ліст з жаданняў

TLP293-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GBTPR,E

частка акцыі: 160482

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(E

частка акцыі: 5636

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 300µs, 1ms,

Ліст з жаданняў

391

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»