Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 99

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 140

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 137

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 28.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±9.68%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 141

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 172

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 86

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 127

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 153

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 98

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 114

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 118

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 89

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 173943

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 34.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 150

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 31.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

частка акцыі: 8202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

частка акцыі: 3906

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

частка акцыі: 8171

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

частка акцыі: 8174

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 5464

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 26.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

частка акцыі: 8245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

частка акцыі: 8173

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 152718

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 127852

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 138193

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 5349

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

частка акцыі: 5364

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 700mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў