Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

частка акцыі: 6662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 170W,

Ліст з жаданняў
GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

частка акцыі: 6662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 240W,

Ліст з жаданняў
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

частка акцыі: 6700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Магутнасць - Макс: 600mW,

Ліст з жаданняў
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

частка акцыі: 6737

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Магутнасць - Макс: 1W,

Ліст з жаданняў
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

частка акцыі: 6730

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 60W,

Ліст з жаданняў