Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

2SC5087YTE85LF

частка акцыі: 144

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 13dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

частка акцыі: 170

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 171976

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 17dB ~ 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

частка акцыі: 111075

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 128600

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB ~ 16.5dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

частка акцыі: 121034

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

частка акцыі: 190

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

частка акцыі: 170

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

частка акцыі: 187

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 2GHz, Прыбытак: 13dB ~ 7dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

частка акцыі: 173074

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

частка акцыі: 128

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.8dB @ 2GHz, Прыбытак: 13dB ~ 7.5dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

частка акцыі: 124837

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 17dB ~ 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

частка акцыі: 152602

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

частка акцыі: 162523

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

частка акцыі: 133840

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 132303

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.5dB @ 100MHz, Прыбытак: 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

частка акцыі: 156257

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 8GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Магутнасць - Макс: 150mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 190913

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 12dB ~ 17dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

частка акцыі: 167393

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.5dB @ 100MHz, Прыбытак: 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

частка акцыі: 7295

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1dB @ 500MHz, Прыбытак: 18dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

частка акцыі: 4783

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 6GHz, Прыбытак: 11dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

частка акцыі: 7101

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 17dB ~ 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

частка акцыі: 7064

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 10V, Частата - пераход: 10GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.4dB @ 1GHz, Прыбытак: 1.4dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

частка акцыі: 160292

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Частата - пераход: 550MHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 5dB @ 100MHz, Прыбытак: 23dB, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

частка акцыі: 91

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 6V, Частата - пераход: 11.5GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.2dB @ 1GHz, Прыбытак: 12dB, Магутнасць - Макс: 700mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

частка акцыі: 18982

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 6V, Частата - пераход: 8GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.25dB @ 1GHz, Прыбытак: 10.5dB, Магутнасць - Макс: 1W,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

частка акцыі: 4314

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 5.3V, Частата - пераход: 7.7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.45dB @ 1GHz, Прыбытак: 10.5dB, Магутнасць - Макс: 1.6W,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

частка акцыі: 9921

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 5.3V, Частата - пераход: 12.5GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.45dB @ 1GHz, Прыбытак: 11.8dB, Магутнасць - Макс: 800mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

частка акцыі: 4313

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.45dB @ 1GHz, Прыбытак: 16.5dB, Магутнасць - Макс: 1.8W,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

частка акцыі: 135

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Прыбытак: 12dB, Магутнасць - Макс: 900mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

частка акцыі: 9992

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 5.3V, Частата - пераход: 11.2GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.45dB @ 1GHz, Прыбытак: 12.5dB, Магутнасць - Макс: 900mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

частка акцыі: 176440

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 5V, Частата - пераход: 4GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 2.4dB @ 1GHz, Прыбытак: 4.5dBi, Магутнасць - Макс: 100mW,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

частка акцыі: 7065

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 12V, Частата - пераход: 7GHz, Паказчык шуму (дБ Тып @ f): 1.1dB @ 1GHz, Прыбытак: 11.5dB, Магутнасць - Макс: 200mW,

Ліст з жаданняў