Дыёды - РФ | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

1SV308,L3F

частка акцыі: 151

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SV308(TH3,F)

частка акцыі: 6994

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SV307(TPH3,F)

частка акцыі: 101204

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS315TPH3F

частка акцыі: 154649

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 5V, Ток - Макс: 30mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS381,L3F

частка акцыі: 139396

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02ACT(TPL3)

частка акцыі: 80

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S12CR(TE85L,Q

частка акцыі: 6892

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 180V, Ток - Макс: 1A, Ёмістасць @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02FSTPL3

частка акцыі: 199251

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 10V, Ток - Макс: 10mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP4P02AT(TE85L)

частка акцыі: 6881

Дыёдны тып: PIN - 2 Independent, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S01FSTPL3

частка акцыі: 134503

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 4V, Ток - Макс: 25mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S10FS(TPL3)

частка акцыі: 128

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 10V, Ёмістасць @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S09FSTPL3

частка акцыі: 108

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 10V, Ёмістасць @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S41FS(TPL3)

частка акцыі: 21538

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 15V, Ёмістасць @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S07FSTPL3

частка акцыі: 21519

Дыёдны тып: Standard - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 10V, Ёмістасць @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02AFS(TPL3)

частка акцыі: 198449

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S08SC(TPL3)

частка акцыі: 159289

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH3D01STE85LF

частка акцыі: 6728

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 4V, Ток - Макс: 25mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Ліст з жаданняў