Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

Дом
Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

частка акцыі: 117530

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 1.6ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

частка акцыі: 111

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

частка акцыі: 161

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

частка акцыі: 176168

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

частка акцыі: 156192

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

частка акцыі: 201

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

частка акцыі: 122602

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 300mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

частка акцыі: 2303

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

частка акцыі: 1533

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

частка акцыі: 154898

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

частка акцыі: 152629

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

частка акцыі: 136052

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

частка акцыі: 175794

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 60ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

частка акцыі: 1558

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 60ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

частка акцыі: 146552

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

частка акцыі: 180671

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

частка акцыі: 113319

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

частка акцыі: 108515

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

частка акцыі: 21577

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

частка акцыі: 106441

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 50mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

частка акцыі: 119305

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

частка акцыі: 129010

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 10V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

частка акцыі: 138564

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 1.6ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

частка акцыі: 174948

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 300mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

частка акцыі: 106991

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

частка акцыі: 126326

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 4ns,

Ліст з жаданняў

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

частка акцыі: 172900

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 60ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

частка акцыі: 154455

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

частка акцыі: 8357

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 3ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

частка акцыі: 8339

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 3ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

частка акцыі: 8339

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 3ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

частка акцыі: 6216

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

частка акцыі: 176414

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

частка акцыі: 162705

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

207

«
1
2
3
4
5
6
»