Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

Дом
Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

частка акцыі: 1645

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

DSR01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

частка акцыі: 131336

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

частка акцыі: 1424

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 0.47V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

DSF01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

частка акцыі: 1267

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

CLS01(T6LSONY,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

частка акцыі: 1440

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 0.47V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

частка акцыі: 1359

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 0.98V @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

частка акцыі: 1368

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A (DC), Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

частка акцыі: 1091

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

DSF07S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

частка акцыі: 1170

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 700mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 700mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

DSF05S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

частка акцыі: 1121

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

U1GWJ49(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

частка акцыі: 852

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CRS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 101221

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 779

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CRS06(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 186793

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

частка акцыі: 9971

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

частка акцыі: 186045

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CRS11(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 161979

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

частка акцыі: 122216

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 215mA, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

частка акцыі: 168808

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CUS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

частка акцыі: 784

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 390mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

частка акцыі: 171031

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 400mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

частка акцыі: 142010

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 140mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 1.5ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

частка акцыі: 262

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

частка акцыі: 183

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 400mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

частка акцыі: 211

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

частка акцыі: 213

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

частка акцыі: 196

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

частка акцыі: 264

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

частка акцыі: 5028

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

частка акцыі: 200

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

частка акцыі: 264

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

частка акцыі: 178

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

частка акцыі: 129014

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 370mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

частка акцыі: 124325

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 400mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

частка акцыі: 143420

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

207

«
1
2
3
4
5
6
»