Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
2SK879-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 198791

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

частка акцыі: 405

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK879-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

частка акцыі: 389

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

частка акцыі: 342

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK208-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

частка акцыі: 340

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK2145-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 123563

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK880-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

частка акцыі: 403

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK880GRTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

частка акцыі: 100454

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK208-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 407

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

частка акцыі: 9964

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

частка акцыі: 177718

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK208-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

частка акцыі: 9975

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 3488

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2SK880-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

частка акцыі: 110749

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Ліст з жаданняў