Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
TLP292-4(LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA,E

частка акцыі: 50525

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGB,E

частка акцыі: 50524

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATRE

частка акцыі: 151683

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(V4-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TR,E

частка акцыі: 151713

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP632(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP632(GB,F)

частка акцыі: 46966

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP387(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPL,E

частка акцыі: 9942

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 15µs, Час нарастання / падзення (тып): 40µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
TLP388(D4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPL,E

частка акцыі: 9999

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP2303(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2303(TPL,E

частка акцыі: 179534

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 5mA,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(V4LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LGB,E

частка акцыі: 50568

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP290(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB,SE

частка акцыі: 159226

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7µs, 7µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
TLP631(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP631(F)

частка акцыі: 2606

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP184(BL-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(BL-TPL,SE

частка акцыі: 117114

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(LA-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LA-TP,E

частка акцыі: 160464

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(LGBTR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTR,E

частка акцыі: 151734

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP2530(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2530(F)

частка акцыі: 41674

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
TLP388(D4GB-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TL,E

частка акцыі: 9996

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP785(GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR,F)

частка акцыі: 135682

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(V4LATPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATPE

частка акцыі: 151689

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(V4-GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-GB,E

частка акцыі: 53541

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB,E

частка акцыі: 53544

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(V4-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TP,E

частка акцыі: 160451

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP184(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR-TPL,SE

частка акцыі: 109314

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TP,E

частка акцыі: 151729

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(V4GBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTRE

частка акцыі: 151698

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TPR,E

частка акцыі: 151687

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(V4-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TR,E

частка акцыі: 160497

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(4LGBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTRE

частка акцыі: 151724

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP785(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(F)

частка акцыі: 135607

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP559(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP559(F)

частка акцыі: 25416

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 200ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
TLP184(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(E)

частка акцыі: 106154

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(E

частка акцыі: 53477

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(V4LATPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATPE

частка акцыі: 160515

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP292-4(LA-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA-TR,E

частка акцыі: 151681

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293(BLL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL-TPL,E

частка акцыі: 173727

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP109(IGM-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(IGM-TPR,E

частка акцыі: 9983

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 25% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 75% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 450ns,

Ліст з жаданняў
TLP331(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(F)

частка акцыі: 46370

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў