Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

Дом
Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620-4(F)

частка акцыі: 20539

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP293-4(V4LGB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LGB,E

частка акцыі: 53459

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4,E

частка акцыі: 53455

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624F

частка акцыі: 61598

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(BV,F)

частка акцыі: 43947

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP630(GB,F)

частка акцыі: 66641

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(V4-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TP,E

частка акцыі: 151764

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2309(E)

частка акцыі: 59619

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 15% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 1µs (Max),

Ліст з жаданняў

TLP293-4(4LGBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(4LGBTPE

частка акцыі: 160453

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626-4(F)

частка акцыі: 14843

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

TLP291(BLL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(BLL-TP,SE

частка акцыі: 194121

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP383(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(GR-TPL,E

частка акцыі: 198476

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP290-4(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(GB-TP,E)

частка акцыі: 183582

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP188(TPL,E

частка акцыі: 124079

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB,E)

частка акцыі: 140864

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP137(F)

частка акцыі: 59555

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

TLP183(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GR-TPL,E

частка акцыі: 174220

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP291(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB-TP,E)

частка акцыі: 21556

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7µs, 7µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 7µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(TP,E

частка акцыі: 183593

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP291(GB-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB-TP,SE

частка акцыі: 192817

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP293(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GR-TPL,E

частка акцыі: 103158

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP190B(U,C,F)

частка акцыі: 27900

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 200µs, 1ms,

Ліст з жаданняў

TLP387(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(D4-TPL,E

частка акцыі: 16214

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 15µs, Час нарастання / падзення (тып): 40µs, 15µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(TP,E)

частка акцыі: 101054

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124(TPR,F)

частка акцыі: 180346

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(E)

частка акцыі: 140855

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў

TLP293-4(LGBTP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGBTP,E

частка акцыі: 160506

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(TPL,E

частка акцыі: 129073

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290-4(GB,E)

частка акцыі: 34934

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP293-4(GB-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB-TP,E

частка акцыі: 160465

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,E)

частка акцыі: 140854

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў

TLP185(GRH-TL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GRH-TL,SE

частка акцыі: 163208

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126TPRF

частка акцыі: 45231

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GB,F)

частка акцыі: 135611

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP785(GR-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR-TP6,F)

частка акцыі: 133346

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(TPL,E

частка акцыі: 172059

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 800ns, 800ns (Max),

Ліст з жаданняў

391

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»