Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

Дом
Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

TLP185(GB-TPL,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,E)

частка акцыі: 5219

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў

TLP385(GRL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPR,E

частка акцыі: 5247

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP184(Y-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(Y-TPL,SE

частка акцыі: 167431

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR,SE

частка акцыі: 5214

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP185(GB-TPR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,SE

частка акцыі: 5227

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP185(BL-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(BL-TPL,SE

частка акцыі: 139225

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(SE

частка акцыі: 5265

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,SE

частка акцыі: 5181

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP131(GB-TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP131(GB-TPR,F)

частка акцыі: 5288

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP182(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GR-TPL,E

частка акцыі: 184569

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB,SE

частка акцыі: 106220

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(4LGBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTPE

частка акцыі: 151695

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP293-4(MBHATLE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBHATLE

частка акцыі: 160521

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP759(LF1,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(LF1,J,F)

частка акцыі: 5281

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 200ns, 300ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(BV,F)

частка акцыі: 66605

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

TLP183(GRL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL-TPL,E

частка акцыі: 122091

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(SE

частка акцыі: 5293

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(V4,E

частка акцыі: 38024

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 800ns, 800ns (Max),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126(F)

частка акцыі: 55569

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2409(F)

частка акцыі: 38421

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 800ns, 800ns (Max),

Ліст з жаданняў

TLP293-4(V4-LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-LA,E

частка акцыі: 53487

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4,E

частка акцыі: 50532

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(V4-LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-LA,E

частка акцыі: 50590

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP291-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(V4GBTPE

частка акцыі: 13216

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124F

частка акцыі: 77911

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(LGBTP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTP,E

частка акцыі: 151709

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(F)

частка акцыі: 47627

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў

TLP185(Y-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(Y-TPL,SE

частка акцыі: 134050

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(Y,F)

частка акцыі: 107781

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GB,E

частка акцыі: 50554

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GBTPR,E

частка акцыі: 151711

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(E

частка акцыі: 50537

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGB,E

частка акцыі: 53509

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(E

частка акцыі: 12167

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 800ns, 800ns (Max),

Ліст з жаданняў

TLP292(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(GB-TPL,E

частка акцыі: 145868

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

TLP292-4(V4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-GB,E

частка акцыі: 50580

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў

391

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»