Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
4N25A(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25A(SHORT,F)

частка акцыі: 99024

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 200µs,

Ліст з жаданняў
4N32(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N32(SHORT,F)

частка акцыі: 5832

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs (Max),

Ліст з жаданняў
4N36(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N36(SHORT,F)

частка акцыі: 153096

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
4N38(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N38(SHORT,F)

частка акцыі: 142675

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
4N26(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N26(SHORT,F)

частка акцыі: 153083

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 200µs,

Ліст з жаданняў
4N35(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N35(SHORT,F)

частка акцыі: 110956

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
4N25(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25(SHORT,F)

частка акцыі: 122076

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 200µs,

Ліст з жаданняў
6N138F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138F

частка акцыі: 5689

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 4µs,

Ліст з жаданняў
6N138(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138(TP1,F)

частка акцыі: 132096

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 4µs,

Ліст з жаданняў
6N139(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N139(F)

частка акцыі: 52030

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 200ns, 1µs,

Ліст з жаданняў
6N136F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N136F

частка акцыі: 51948

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 200ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
TLP385(D4-GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GRH,E

частка акцыі: 5988

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP624LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624LF1F

частка акцыі: 61608

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 8µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 8µs,

Ліст з жаданняў
TLP290(GB-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,SE

частка акцыі: 170500

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP290(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GR,SE

частка акцыі: 5882

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP187(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(E

частка акцыі: 5841

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 15µs, Час нарастання / падзення (тып): 40µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
TLP2403(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2403(F)

частка акцыі: 37049

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 1µs,

Ліст з жаданняў
TLP387(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPR,E

частка акцыі: 2609

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 15µs, Час нарастання / падзення (тып): 40µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
TLP385(D4-BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BLL,E

частка акцыі: 5878

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP185(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPL,SE

частка акцыі: 191882

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP183(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BL-TPL,E

частка акцыі: 171777

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP281-4(GB-TP,J,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281-4(GB-TP,J,F

частка акцыі: 5770

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP781(GB-LF6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB-LF6,F)

частка акцыі: 5976

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP183(YH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(YH,E

частка акцыі: 2631

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 75% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP184(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPR,E)

частка акцыі: 5912

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 9µs, 9µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 9µs,

Ліст з жаданняў
TLP388(D4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPR,E

частка акцыі: 5899

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP293-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATRE

частка акцыі: 160514

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 500µA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 500µA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP183(GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRH,E

частка акцыі: 5733

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP627-4F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP627-4F

частка акцыі: 21192

Колькасць каналаў: 4, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 50µs, 15µs, Час нарастання / падзення (тып): 40µs, 15µs,

Ліст з жаданняў
TLP385(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BLL,E

частка акцыі: 2662

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP181(GR,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP181(GR,T)

частка акцыі: 5911

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP185(TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(TPL,SE

частка акцыі: 156609

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP731(D4-GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP731(D4-GR,F)

частка акцыі: 58603

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP385(GRH-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH-TPR,E

частка акцыі: 5984

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP504A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP504A(F)

частка акцыі: 5711

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TLP620(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620(F)

частка акцыі: 133149

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў