Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
H11A817BW
ON Semiconductor

H11A817BW

частка акцыі: 2548

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
FOD2712R1V
ON Semiconductor

FOD2712R1V

частка акцыі: 5359

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FOD2743A
ON Semiconductor

FOD2743A

частка акцыі: 5311

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
SL5500S
ON Semiconductor

SL5500S

частка акцыі: 5418

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL0700V
ON Semiconductor

HCPL0700V

частка акцыі: 5367

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 2600% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
MOC81123SD
ON Semiconductor

MOC81123SD

частка акцыі: 5403

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
FOD617C300
ON Semiconductor

FOD617C300

частка акцыі: 5443

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM2701BR2V
ON Semiconductor

FODM2701BR2V

частка акцыі: 2618

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2743BT
ON Semiconductor

FOD2743BT

частка акцыі: 5479

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
H11AA4300
ON Semiconductor

H11AA4300

частка акцыі: 5323

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC8100TM
ON Semiconductor

MOC8100TM

частка акцыі: 5475

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs (Max), Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM121ER1
ON Semiconductor

FODM121ER1

частка акцыі: 5365

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TIL1133S
ON Semiconductor

TIL1133S

частка акцыі: 5266

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 350ns, 55µs,

Ліст з жаданняў
H11D2M
ON Semiconductor

H11D2M

частка акцыі: 2603

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801BR3V
ON Semiconductor

HMHA2801BR3V

частка акцыі: 5272

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT52013SD
ON Semiconductor

MCT52013SD

частка акцыі: 5539

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 120% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 12µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.5µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
MOC81033SD
ON Semiconductor

MOC81033SD

частка акцыі: 5543

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 108% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 173% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNX83A300W
ON Semiconductor

CNX83A300W

частка акцыі: 5398

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 250% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A617C300W
ON Semiconductor

H11A617C300W

частка акцыі: 5415

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOC8104W
ON Semiconductor

MOC8104W

частка акцыі: 5421

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 256% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A617A3SD
ON Semiconductor

H11A617A3SD

частка акцыі: 5371

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
FODB100
ON Semiconductor

FODB100

частка акцыі: 5341

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC8021W
ON Semiconductor

MOC8021W

частка акцыі: 5482

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
CNY172SD
ON Semiconductor

CNY172SD

частка акцыі: 5398

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNX83AW
ON Semiconductor

CNX83AW

частка акцыі: 5367

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 250% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODB102
ON Semiconductor

FODB102

частка акцыі: 5427

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HMA121DR1
ON Semiconductor

HMA121DR1

частка акцыі: 5424

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A817D
ON Semiconductor

H11A817D

частка акцыі: 5497

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MCT2W
ON Semiconductor

MCT2W

частка акцыі: 5459

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.1µs, 50µs,

Ліст з жаданняў
HMA121DR4V
ON Semiconductor

HMA121DR4V

частка акцыі: 5403

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A3300
ON Semiconductor

H11A3300

частка акцыі: 5492

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121CV
ON Semiconductor

HMA121CV

частка акцыі: 5472

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HCPL4502SD
ON Semiconductor

HCPL4502SD

частка акцыі: 5409

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11A5SVM
ON Semiconductor

H11A5SVM

частка акцыі: 5402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11A617A3S
ON Semiconductor

H11A617A3S

частка акцыі: 5415

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MCT61W
ON Semiconductor

MCT61W

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў