Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
CNX36U
ON Semiconductor

CNX36U

частка акцыі: 5469

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
FODB101V
ON Semiconductor

FODB101V

частка акцыі: 2568

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0534R1
ON Semiconductor

HCPL0534R1

частка акцыі: 5508

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 15% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11A2TM
ON Semiconductor

H11A2TM

частка акцыі: 5307

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT2202300W
ON Semiconductor

MCT2202300W

частка акцыі: 5469

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD852W
ON Semiconductor

FOD852W

частка акцыі: 5346

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 15000% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 100µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
TIL111W
ON Semiconductor

TIL111W

частка акцыі: 5465

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms,

Ліст з жаданняў
FOD2742CR1V
ON Semiconductor

FOD2742CR1V

частка акцыі: 5285

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNY173M_F132
ON Semiconductor

CNY173M_F132

частка акцыі: 5390

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT5210VM
ON Semiconductor

MCT5210VM

частка акцыі: 5377

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 3mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 400ns,

Ліст з жаданняў
H11D3300
ON Semiconductor

H11D3300

частка акцыі: 5379

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2731SDV
ON Semiconductor

HCPL2731SDV

частка акцыі: 2611

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
HMA121F
ON Semiconductor

HMA121F

частка акцыі: 5517

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODB101
ON Semiconductor

FODB101

частка акцыі: 5392

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 5µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11F3300W
ON Semiconductor

H11F3300W

частка акцыі: 5532

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
HMA121V
ON Semiconductor

HMA121V

частка акцыі: 5439

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
TIL111FM
ON Semiconductor

TIL111FM

частка акцыі: 5474

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11A2SR2M
ON Semiconductor

H11A2SR2M

частка акцыі: 5501

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MCT5211300
ON Semiconductor

MCT5211300

частка акцыі: 2567

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
MCT210M
ON Semiconductor

MCT210M

частка акцыі: 5338

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 50µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 11µs,

Ліст з жаданняў
MCA231
ON Semiconductor

MCA231

частка акцыі: 5425

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4400Vrms,

Ліст з жаданняў
FOD814W
ON Semiconductor

FOD814W

частка акцыі: 5340

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817CW
ON Semiconductor

FOD817CW

частка акцыі: 5244

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8101SD
ON Semiconductor

MOC8101SD

частка акцыі: 5426

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
SL55003SD
ON Semiconductor

SL55003SD

частка акцыі: 5449

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 50µs (Max),

Ліст з жаданняў
MCT2TM
ON Semiconductor

MCT2TM

частка акцыі: 5395

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
MOC212VM
ON Semiconductor

MOC212VM

частка акцыі: 5395

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MCT5201300W
ON Semiconductor

MCT5201300W

частка акцыі: 5385

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 120% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 12µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.5µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
MOC8021S
ON Semiconductor

MOC8021S

частка акцыі: 5493

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
H11A5300W
ON Semiconductor

H11A5300W

частка акцыі: 2563

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 30% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC80203S
ON Semiconductor

MOC80203S

частка акцыі: 5355

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
MOC215R1M
ON Semiconductor

MOC215R1M

частка акцыі: 5431

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4µs, 4µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A4SR2M
ON Semiconductor

H11A4SR2M

частка акцыі: 5436

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD617B
ON Semiconductor

FOD617B

частка акцыі: 136402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOCD211R1VM
ON Semiconductor

MOCD211R1VM

частка акцыі: 5346

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
CNW11AV2S
ON Semiconductor

CNW11AV2S

частка акцыі: 5357

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA,

Ліст з жаданняў